RS2102XN是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频通信系统中。该芯片采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有卓越的增益性能、低噪声系数以及宽工作带宽等特点。RS2102XN能够在高频段内提供稳定的信号放大,同时保持较低的功耗和失真,使其成为无线通信设备、卫星接收器以及测试测量仪器中的理想选择。
该器件支持从900MHz到2.7GHz的频率范围,适用于多种现代无线通信标准,包括GSM、WCDMA、LTE以及Wi-Fi等。此外,RS2102XN还具备出色的线性度和抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中仍能保持优异的性能表现。
频率范围:900MHz~2.7GHz
增益:15dB
噪声系数:1.0dB
输入回波损耗:10dB
输出回波损耗:12dB
最大输入功率:+10dBm
电源电压:2.7V~5.5V
工作电流:30mA
封装形式:SOT-23
1. 低噪声系数设计,能够有效减少信号传输过程中的噪声影响。
2. 高增益特性,确保弱信号被充分放大以满足后续处理需求。
3. 宽带频率覆盖范围,兼容多种无线通信协议和标准。
4. 低功耗运行模式,非常适合便携式或电池供电的应用场景。
5. 简化外部匹配网络设计,便于快速集成到各种电路中。
6. 良好的线性度,减少非线性失真对信号质量的影响。
7. 小型化封装,节省PCB空间并提高整体系统的紧凑性。
1. 移动通信基站接收前端模块。
2. 卫星通信系统中的下变频链路。
3. 工业、科学和医疗(ISM)频段的无线收发设备。
4. 高性能Wi-Fi路由器及接入点。
5. 测试与测量仪器中的射频信号采集部分。
6. 物联网(IoT)终端节点的射频前端放大器。
7. GPS和其他导航系统的信号增强模块。
RS2103XN, RS2104XN, HMC930LP4E