时间:2025/12/26 9:40:05
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RS1KB-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高效、高频整流应用而设计,适用于各类电源转换和保护电路。其低正向电压降和快速开关特性使其在开关模式电源(SMPS)、逆变器、续流二极管以及极性保护等场景中表现出色。RS1KB-13-F的命名遵循标准行业规范:RS表示快恢复/肖特基系列,1K代表额定电流为1A,B表示反向重复电压为50V,-13-F通常指卷带包装形式并符合RoHS环保要求。该二极管具备优良的热稳定性和可靠性,适合自动化贴片生产工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。由于其高效率和紧凑型封装,特别适合对空间和能效有严格要求的设计需求。
类型:肖特基二极管
封装/外壳:SMA(DO-214AC)
最大平均整流电流(Io):1 A
峰值重复反向电压(VRRM):50 V
最大直流阻断电压(VR):50 V
最大正向压降(VF)@ 1A:850 mV @ 1A
最大反向漏电流(IR):10 μA @ 50V
最大反向恢复时间(trr):<30 ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
安装类型:表面贴装(SMT)
引脚数:2
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
RS1KB-13-F的核心优势在于其低正向导通压降与快速响应能力。作为一款肖特基势垒二极管,它利用金属-半导体结实现单向导电性,相较于传统的PN结二极管,具有更低的开启电压(典型值约为0.3V至0.45V),而在实际测试条件下(如1A电流下),其最大压降仅为850mV,显著减少了导通损耗,从而提升了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备或高能效电源设计尤为重要,有助于降低发热、延长续航时间并提高功率密度。此外,该器件具备极短的反向恢复时间(trr < 30ns),几乎不存在少数载流子储存效应,因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电流尖峰,有效抑制了电磁干扰(EMI)并降低了开关应力。
在可靠性方面,RS1KB-13-F设计可在-55°C至+125°C的工作结温范围内稳定运行,能够适应严苛的环境条件。其SMA封装不仅体积小巧(约4.3mm x 2.8mm x 2.3mm),便于在高密度PCB布局中使用,而且具备良好的散热性能,可通过PCB焊盘进行热传导。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于部分车载电子应用。同时,产品采用无铅工艺制造,符合RoHS和绿色生产标准,支持现代环保法规要求。该二极管还具备较高的浪涌电流承受能力,在瞬态负载变化时仍能保持稳定工作,增强了系统的鲁棒性。
RS1KB-13-F常用于多种中低功率电子系统的电源管理与信号处理环节。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流,尤其是在DC-DC变换器中作为同步整流的替代方案之一;在反激式转换器中用作次级侧整流元件,以提升转换效率。由于其快速响应特性,也广泛应用于高频逆变电路、UPS不间断电源和LED驱动电源中,作为防止反向电流流动的关键组件。另一个重要用途是作为续流二极管(Flyback Diode)连接在电感负载(如继电器、电机线圈)两端,用于吸收关断瞬间产生的反电动势,保护主控开关器件(如MOSFET或晶体管)免受高压击穿威胁。
此外,该器件可用于输入电源的极性反接保护,确保当电源正负极意外接反时,电路不会因过流而损坏。在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、移动电源)中,RS1KB-13-F可用于电池充放电路径管理,提供高效的单向导通控制。在适配器、充电器、机顶盒、网络路由器等消费类电源适配装置中,它同样发挥着关键作用。工业控制系统中的传感器模块、PLC接口电路以及通信设备的电源模块也是其常见应用领域。凭借其SMA封装的表面贴装特性,非常适合自动化回流焊接工艺,满足大批量生产的需求。
SR105-13-F
MBR150
SS15