时间：2025/12/26 3:47:16
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RS1G-13-F是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型封装，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局。该器件属于罗姆的“Ultra-small Package MOSFETs”产品系列，专为低电压、低功耗应用设计，具有优异的开关特性和导通电阻表现。RS1G-13-F采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，在保证高性能的同时实现了极小的封装尺寸，典型应用于负载开关、电源管理、电池供电设备以及信号切换等场景。其SOT-723（SC-88A）封装形式使其成为对空间敏感的设计中的理想选择，例如智能手机、可穿戴设备、物联网终端和小型传感器模块。该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够在较低的栅极驱动电压下实现良好的导通性能，从而与现代微控制器和数字IC直接接口而无需额外的电平转换电路。
RS1G-13-F在设计上注重热效率和电气可靠性，具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳定的长期工作性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其出色的尺寸与性能平衡，RS1G-13-F广泛用于需要高效能、小体积解决方案的应用中。
型号：RS1G-13-F
通道类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：12V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：100mA @ 25°C
脉冲漏极电流(ID_pulse)：400mA
导通电阻(RDS(on))：0.35Ω @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on))：0.4Ω @ VGS=2.5V
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：9pF @ VDS=6V
反向传输电容(Crss)：1.1pF @ VDS=6V
输出电容(Coss)：10pF @ VDS=6V
开启延迟时间(Td(on))：4ns
关断延迟时间(Td(off))：8ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-723(SC-88A)
RS1G-13-F具备多项关键特性，使其在同类小型MOSFET中表现出色。首先，其超小型SOT-723封装仅占约1.0mm × 0.6mm的PCB面积，极大节省了空间资源，非常适合高度集成的便携式电子产品。该封装还优化了热传导路径，提升了单位面积下的散热效率，确保在有限空间内仍能维持稳定运行。其次，该器件的低导通电阻RDS(on)是其核心优势之一——在VGS=4.5V时仅为0.35Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统能效，尤其在电池供电设备中延长了续航时间。同时，在更低的驱动电压如2.5V下，RDS(on)也保持在0.4Ω的较低水平，说明其对现代低电压逻辑信号具有良好的兼容性，适合3.3V或1.8V系统的直接控制。
第三，RS1G-13-F具有较低的输入和输出电容（Ciss=9pF, Coss=10pF），这意味着在高频开关应用中充放电所需的能量更少，从而减少了开关损耗并提升了响应速度。这对于高速信号切换或PWM调制等应用场景尤为重要。此外，其快速的开关时间（开启延迟约4ns，关断延迟约8ns）进一步增强了动态性能，有助于实现精确的时序控制。第四，该MOSFET的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于典型的逻辑电平MOSFET，能够被微控制器GPIO引脚轻松驱动，避免了使用外部驱动器的复杂性。第五，器件具备良好的抗静电能力（HBM模型下可达±2000V以上），增强了在生产、组装和使用过程中的鲁棒性。最后，RS1G-13-F采用符合工业标准的SC-88A封装，便于自动化贴片生产和回流焊工艺，且与现有产线设备完全兼容，有利于大规模制造和成本控制。
RS1G-13-F主要应用于对空间和功耗有严格要求的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如用于控制显示屏背光、摄像头模块或无线通信芯片的供电通断，以实现节能管理。在电池供电设备如智能手表、TWS耳机、健康监测设备中，该MOSFET常被用作电源路径切换或电池隔离开关，有效防止待机漏电。此外，它也广泛用于各类信号切换电路，比如音频通道选择、I2C总线多路复用或传感器使能控制，凭借其低导通电阻和快速响应能力，确保信号完整性不受影响。在嵌入式系统和MCU外围电路中，RS1G-13-F可用于GPIO扩展驱动，控制LED指示灯或小型继电器等负载。由于其高集成度和稳定性，该器件也被应用于工业传感器节点、智能家居终端和物联网网关等小型化模块中。在汽车电子领域，虽然其电压等级较低，但仍可用于车身控制模块中的低功率信号切换部分，如车窗防夹检测电路或内部照明控制。总体而言，任何需要微型化、低功耗、高可靠性的MOSFET开关方案均可考虑采用RS1G-13-F作为优选器件。
DMG1010UW-7
FDC6322P
2N7002K-7-F
SI2301-C-E3
ZXM61P02F
