工作频率：0.1 MHz 至 4 GHz
　　插入损耗（Insertion Loss）：典型值为0.3 dB（在2 GHz时）
　　隔离度（Isolation）：典型值为35 dB（在2 GHz时）
　　回波损耗（Return Loss）：典型值为20 dB（在2 GHz时）
　　输入功率范围：-10 dBm 至 +30 dBm
　　控制电压：1.8V 至 5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TQFN-16

RS1EB-TR是一款高性能的射频开关IC，具有极低的插入损耗和高隔离度，使其在信号传输过程中保持高保真度，减少信号衰减和干扰。其宽频带设计使其适用于多种频率范围，支持从低频到高达4 GHz的射频信号切换。该芯片采用低功耗CMOS工艺，具有出色的能效，适用于电池供电设备和高密度射频系统。
　　此外，RS1EB-TR具备宽电压控制范围（1.8V至5V），兼容多种逻辑电平控制电路，提高了其在不同应用环境下的灵活性。该器件内置ESD（静电放电）保护电路，增强了抗干扰能力和系统稳定性。
　　其TQFN-16封装形式不仅节省空间，而且便于集成于高密度PCB设计中，适用于移动通信设备、无线接入点、射频测试设备、雷达系统以及物联网（IoT）设备等应用场景。

RS1EB-TR主要应用于需要高频信号切换的射频系统中。例如，在蜂窝通信基站、Wi-Fi接入点、蓝牙和Zigbee模块中，用于切换不同的天线或射频路径；在测试设备中，用于构建多路复用的射频测试平台；在工业自动化系统中，用于远程控制射频信号的路由；此外，它也广泛用于无线基础设施、医疗成像设备、无人机通信系统以及汽车雷达系统等高性能射频应用领域。

HMC642ALP3E, PE4259, SKY13350-345LF