时间：2025/12/25 12:35:41
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RS1E350BNTB是一款由瑞莎（Ruishun）半导体推出的高性能硅基肖特基二极管，广泛应用于电源整流、续流保护以及高频开关电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低正向压降、高反向击穿电压和优异的热稳定性等特点。其封装形式为SMA（DO-214AC），属于表面贴装型封装，便于自动化贴片生产，适用于紧凑型电子设备的设计需求。RS1E350BNTB的额定平均正向整流电流为1A，最大重复峰值反向电压可达350V，能够满足多种中低压直流电源系统的应用要求。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适合在消费类电子产品、工业控制设备、照明驱动电源及通信模块中使用。由于其出色的开关响应速度和较低的能量损耗，RS1E350BNTB在提升系统效率方面表现出色，是传统快恢复二极管的理想替代方案之一。
型号：RS1E350BNTB
类型：肖特基二极管
封装：SMA (DO-214AC)
平均正向整流电流：1A
最大重复峰值反向电压：350V
峰值正向浪涌电流：30A
最大正向压降：0.85V @ 1A
最大反向漏电流：200μA @ 350V
工作结温范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
热阻：60℃/W (RθJA)
安装方式：表面贴装
RS1E350BNTB的核心优势在于其卓越的电学性能与高可靠性设计相结合。首先，该器件采用了优化的肖特基势垒结构，在保证较高反向耐压的同时实现了极低的正向导通压降（典型值为0.85V，测试条件为1A）。这种低VF特性显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求，特别适用于对能效敏感的应用场景，如适配器、充电器和LED驱动电源。
其次，尽管传统肖特基二极管通常受限于较低的反向耐压能力，但RS1E350BNTB通过材料选择与掺杂工艺的改进，成功将最大重复峰值反向电压提升至350V，突破了常规肖特基二极管在高压应用中的局限性。这一特性使其能够在较宽的电压范围内稳定工作，增强了电路设计的灵活性。同时，其反向漏电流控制在200μA以内（在350V下），虽然略高于低电压肖特基器件，但在同级别高压肖特基产品中仍处于合理水平。
再者，该器件具备良好的热管理能力。其热阻RθJA为60℃/W，意味着在正常PCB布局条件下即可实现有效的热量散发，无需额外复杂的散热措施。工作结温范围覆盖-55℃至+125℃，表明其可在严苛环境温度下可靠运行，适用于工业级应用场景。此外，高达30A的峰值正向浪涌电流能力赋予其较强的抗瞬态冲击能力，可在电源启动或负载突变时有效防止损坏。
最后，SMA封装不仅体积小巧（约4.3mm × 2.4mm × 2.1mm），还支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，提升了制造效率与产品一致性。整体而言，RS1E350BNTB在性能、尺寸与成本之间取得了良好平衡，是一款兼具实用性与性价比的功率整流器件。
RS1E350BNTB主要应用于各类中小功率电源系统中，作为整流、续流或防反接保护元件使用。常见应用领域包括：手机充电器、USB电源适配器、LED照明驱动电源、小型开关电源（SMPS）、DC-DC转换模块、消费类电子产品内部的次级侧整流电路、电机驱动电路中的续流二极管、光伏微逆变器中的旁路保护以及工业控制板上的电源路径管理等。由于其具备较高的反向耐压能力和较低的正向压降，特别适合用于输出电压在12V至48V之间的离线式反激电源设计中，用作次级整流二极管以提升整体转换效率。此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电隔离、电磁继电器线圈的反电动势吸收电路以及各类需要快速响应的开关电源拓扑结构中。得益于其表面贴装封装形式，RS1E350BNTB非常适合空间受限且追求高集成度的现代电子设备，例如智能插座、无线路由器、便携式医疗设备和智能家居控制器等。其稳定的电气特性与可靠的长期工作表现，也使其成为许多OEM厂商在批量生产中优先选用的标准元器件之一。
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