时间：2025/12/25 11:49:10
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RS1E321GNTB1是一款由Rohm Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型表面贴装封装。该器件专为高效率、低功耗的电源管理应用而设计，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及各类开关电源电路中。作为一款单体二极管，RS1E321GNTB1具有较低的正向导通电压和快速的反向恢复特性，能够有效减少功率损耗并提升系统整体能效。其额定平均整流电流为1A，最大重复峰值反向电压为120V，适用于中低压直流电路中的整流、续流、防反接等场景。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑型高密度PCB布局中使用。此外，SOD-123FL封装具有较小的占板面积和优异的散热性能，有助于实现更轻薄化的产品设计。RS1E321GNTB1还具备较高的浪涌电流承受能力，能够在瞬态负载变化或启动过程中保持稳定工作，避免因过电流导致的器件损坏。
类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-123FL
平均整流电流(Io)：1A
最大重复峰值反向电压(VRRM)：120V
最大正向压降(VF)：850mV @ 1A
最大反向漏电流(IR)：200μA @ 100V, 25°C
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
反向恢复时间(trr)：典型值5ns
安装类型：表面贴装(SMT)
RS1E321GNTB1的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。相较于传统的PN结二极管，肖特基结构利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了载流子复合带来的能量损失，从而将正向压降控制在850mV以内（在1A电流下）。这种低VF特性意味着在相同工作条件下产生的热量更少，不仅提高了电源转换效率，也减轻了对散热设计的要求，特别适用于对能效敏感的应用如移动电源、USB充电模块和DC-DC转换器。同时，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为5ns。这一特性使其在高频开关电路中表现出色，可大幅降低开关过程中的交叉导通损耗和电磁干扰（EMI），有助于提升系统的动态响应能力和稳定性。
该器件的最大重复峰值反向电压为120V，能够在多种中低压应用场景中提供可靠的反向阻断能力。尽管肖特基二极管通常受限于较低的耐压水平，但120V的VRRM已足以覆盖许多常见的电源拓扑需求，例如反激式转换器的输出整流、同步整流的辅助通道以及电池管理系统中的隔离保护。此外，RS1E321GNTB1具备高达200μA的反向漏电流（在100V、25°C条件下），虽然略高于普通PN二极管，但在正常工作温度范围内仍处于可接受水平，且通过优化PCB布局和热管理可进一步抑制温升带来的漏电增加。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明该器件可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级电子设备。
SOD-123FL封装是该产品的重要亮点之一，尺寸紧凑（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），非常适合空间受限的设计。相比传统SOD-123封装，SOD-123FL具有更低的内部引线电感和更好的热传导路径，有利于提高高频性能和长期可靠性。此外，该封装支持自动化贴片生产，兼容标准回流焊工艺，便于大规模制造。Rohm对该器件进行了严格的品质管控，确保批次一致性与长期供货能力，满足消费电子与工业设备对元器件寿命和稳定性的严苛要求。
RS1E321GNTB1广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。常见用途包括便携式设备的电源适配器、锂电池充电回路中的防倒灌二极管、DC-DC升压或降压转换器的续流二极管、太阳能充电控制器中的阻塞二极管以及各类开关模式电源（SMPS）的次级侧整流环节。由于其低正向压降和快速响应特性，该器件特别适合用于提高电源转换效率，减少发热，延长电池续航时间。此外，它也可用于信号隔离、电压钳位、瞬态电压抑制等模拟电路保护功能，在通信模块、智能家居控制板、物联网终端设备中均有实际部署。得益于其小型化封装和高可靠性，RS1E321GNTB1同样适用于车载电子系统如行车记录仪、车载充电器和LED照明驱动等对空间和稳定性有较高要求的场合。
RB156L-40,RB054L-40,S1BAHE3/5AT
