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RS1E320GNTB 发布时间 时间:2025/12/25 13:09:34 查看 阅读:10

RS1E320GNTB是一款由Rectron Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL封装。该器件专为高效率、低电压应用而设计,广泛用于电源整流、反向电压保护以及高频开关电路中。作为一款单芯片二极管,RS1E320GNTB具备快速开关响应和较低的正向导通压降特性,使其在便携式电子设备、消费类电子产品及通信设备中表现出色。其结构基于铂势垒技术,确保了稳定的电气性能和长期可靠性。此外,该型号符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)设计,适用于对环境要求较高的工业与民用应用场景。器件工作温度范围宽,可在-55°C至+125°C之间稳定运行,适合在严苛环境下使用。由于采用了小型化封装,RS1E320GNTB有助于节省PCB空间,提升整体系统集成度。

参数

类型:肖特基二极管
  封装:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  最大重复反向电压(VRRM):20V
  平均整流电流(IO):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向压降(VF @ 1A):480mV @ 1A
  最大反向漏电流(IR @ 25°C):0.1μA @ 20V
  工作结温范围:-55°C ~ +125°C
  热阻(RθJA):约200°C/W
  安装方式:表面贴装
  极性:单极

特性

RS1E320GNTB的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的物理尺寸相结合。首先,它采用肖特基势垒结构,利用金属-半导体接触形成低势垒二极管,从而显著降低正向导通电压。在1A电流下,最大正向压降仅为480mV,相比传统PN结二极管可大幅减少功率损耗,提高系统能效。这一特点特别适用于电池供电设备或需要高效能量转换的应用场景,如DC-DC转换器、同步整流替代方案等。
  其次,该器件具有极快的反向恢复时间,典型值接近于零,因此几乎不会产生开关过程中的反向恢复电荷(Qrr),避免了由此引发的电磁干扰和额外功耗。这使得RS1E320GNTB非常适合用于高频开关电源、开关稳压器和逆变器等高速切换电路中,能够有效提升系统的动态响应能力并降低噪声水平。
  再者,SOD-123FL封装不仅体积小巧(典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),而且引脚间距适中,便于自动化贴片生产,提高了组装良率。同时,该封装具备良好的散热性能,在合理布局条件下可支持持续1A的平均整流电流输出。
  此外,RS1E320GNTB拥有出色的温度稳定性,在高温环境下反向漏电流增长缓慢,保证了在恶劣工况下的可靠性。其高达30A的峰值浪涌电流耐受能力也增强了对瞬态过流事件的抵御能力,提升了整个电源系统的鲁棒性。综合来看,这款二极管是一款高性能、高可靠性的表面贴装解决方案,适用于现代电子系统对小型化、高效化和绿色化的需求。

应用

RS1E320GNTB广泛应用于各类中小功率电子设备中,尤其适合对空间和效率有严格要求的设计。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源管理模块,例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备的充电回路和电池保护电路,用于防止反向电流损坏电池或主控芯片。
  在DC-DC转换器拓扑中,该二极管常被用作续流二极管或输出整流元件,特别是在非隔离型Buck、Boost和SEPIC电路中表现优异。由于其低正向压降和零反向恢复特性,能显著提升转换效率,减少发热问题。
  此外,它也被广泛用于USB供电接口、AC-DC适配器次级侧整流、LED驱动电源以及各类嵌入式控制系统中的电压钳位和极性保护电路。工业控制领域中,可用于PLC输入模块的信号整流与防反接设计。
  通信设备中的低噪声电源路径、传感器供电单元以及汽车电子中的辅助小功率电源系统也是其典型应用场景。得益于其高可靠性与宽温工作能力,RS1E320GNTB同样适用于部分车载信息娱乐系统和车身控制模块中的低压直流电路保护。总之,凡涉及低电压、高效率、高频整流或反向隔离需求的场合,该器件均是一个理想选择。

替代型号

RB168L-40T1G
  SS12
  SK14
  BAS40-04W

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RS1E320GNTB参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥4.74466卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.9 毫欧 @ 32A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2850 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Ta),34.6W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-HSOP
  • 封装/外壳8-PowerTDFN