型号：RS1E240BN
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A
　　脉冲漏极电流(IDM)：23.2A
　　导通电阻(RDS(on))：24mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：350pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：8ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：250°C/W
　　热阻结到外壳(θJC)：60°C/W
　　极性：N-Channel
　　功率耗散(PD)：1W

RS1E240BN采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片结构设计，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V条件下仅为24mΩ，显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流、低电压的应用场景，如电池供电设备中的负载开关或同步整流电路。其低阈值电压（典型值约0.8V）使得该MOSFET可以在低电压逻辑信号（如1.8V或2.5V）下可靠开启，兼容多种微控制器输出电平，提升了系统的灵活性和适配能力。此外，该器件具有优异的开关性能，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动电路的能量消耗并提高开关频率，适用于高频DC-DC变换器和同步降压拓扑结构。
　　在可靠性方面，RS1E240BN具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，内部寄生二极管能够承受一定的反向电流冲击，增强了在感性负载切换过程中的鲁棒性。器件还具备较强的静电放电（ESD）防护能力，HBM模型下可承受超过2000V的静电电压，降低了在生产、装配和使用过程中因静电损坏的风险。SOT-23小尺寸封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提高了制造效率。同时，该封装具备较好的散热性能，结合合理的PCB布局设计（如增加铜箔面积），可以有效将热量传导至外部环境，避免局部过热导致性能下降或失效。综合来看，RS1E240BN凭借其高性能、小体积和高可靠性，成为现代高效能电源管理系统中理想的功率开关元件。

RS1E240BN广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和电池管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的负载开关或电源路径控制；在同步整流型DC-DC转换器中作为低边开关使用，能够显著提升转换效率，降低发热；还可用于LED驱动电路、电机驱动器、继电器驱动以及各类开关电源（SMPS）拓扑结构中，实现快速响应和低功耗运行。此外，由于其具备良好的逻辑电平兼容性，也常被用于微控制器I/O口扩展驱动能力的场合，例如驱动蜂鸣器、小型电磁阀或传感器模块的使能控制。在工业控制领域，该器件可用于PLC输入输出模块、智能电表电源管理单元以及通信设备的板载电源系统。得益于SOT-23封装的小型化优势，RS1E240BN特别适合高密度贴装的消费类电子产品和空间受限的嵌入式系统设计。其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围也使其适用于车载电子辅助系统、医疗便携设备等对可靠性要求较高的应用场景。

SI2302,DMG2302U,MCH2223,NTR4101P