RS1D-13-F 时间：2025/12/26 3:44:39 阅读：16

RS1D-13-F是一款表面贴装（SMD）肖特基势垒二极管，广泛应用于中小功率整流、开关电源、续流和防反接等电路中。该器件采用先进的芯片工艺制造，具有低正向压降、快速恢复时间和高可靠性等特点，适用于对效率和空间要求较高的电子设备。RS1D-13-F的额定平均正向整流电流为1A，最大重复峰值反向电压为200V，能够满足多种通用整流需求。其封装形式为SMA（DO-214AC），具备良好的散热性能和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。该二极管工作温度范围宽，通常可在-55°C至+150°C结温范围内稳定工作，适用于工业控制、消费类电子产品、电源适配器、LED照明驱动以及通信设备等多种应用场景。由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，RS1D-13-F在现代高密度PCB设计中被广泛采用，是替代传统轴向或径向引线二极管的理想选择之一。

参数

型号：RS1D-13-F
　　封装：SMA (DO-214AC)
　　极性：单二极管
　　平均正向整流电流 (If): 1A
　　最大重复峰值反向电压 (Vrrm): 200V
　　最大直流阻断电压 (Vr): 200V
　　最大正向压降 (Vf): 1.0V @ If=1A, Ta=25°C
　　最大反向漏电流 (Ir): 5μA @ Vr=200V, Tj=25°C
　　典型结电容 (Cj): 约35pF @ Vr=4V, f=1MHz
　　最大反向恢复时间 (trr): 15ns 典型值
　　工作结温范围 (Tj): -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
　　热阻抗 (RθJA): 约150°C/W（依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

RS1D-13-F作为一款高性能的表面贴装肖特基二极管，在实际应用中展现出多项关键优势。首先，其低正向导通压降是该器件的核心特性之一。在1A的工作电流下，最大正向压降仅为1.0V，显著低于传统的硅PN结二极管（通常为0.7V~1.2V）。这种低Vf特性直接降低了导通状态下的功率损耗（Ploss = Vf × If），从而提高了电源转换效率，减少了热量产生，有助于提升系统整体能效并降低散热设计复杂度。尤其在电池供电设备或高效率开关电源中，这一特性至关重要。
　　其次，RS1D-13-F具备快速的反向恢复能力。虽然肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此理论上没有长尾的反向恢复过程，但其内部仍存在由结电容引起的瞬态响应。该器件的反向恢复时间（trr）典型值仅为15ns，使其能够在高频开关电路中迅速截止，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），非常适合用于高频整流、续流和箝位等场合。这种快速响应能力保证了电路在高速切换时的稳定性与效率。
　　再者，该器件采用SMA封装，体积小巧（约4.3mm x 2.6mm x 2.1mm），便于在高密度印刷电路板上实现紧凑布局。SMA封装还提供了良好的热传导路径，通过焊盘将热量有效地传递到PCB上，增强了散热能力。此外，其符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色制造要求。宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了其在极端环境条件下的可靠运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。

应用

RS1D-13-F因其优异的电气性能和紧凑封装，被广泛应用于多个电子领域。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出整流二极管，特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，利用其低正向压降来提高转换效率。在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，该器件可用于次级侧整流，有效降低功耗并提升电源整体效能。此外，在AC-DC适配器、充电器模块和LED驱动电源中，RS1D-13-F也发挥着重要作用，帮助实现小型化与高效化的设计目标。
　　在逆变器和电机驱动电路中，该二极管常用作续流（Freewheeling）或箝位（Clamping）元件，用于吸收感性负载（如继电器线圈、电机绕组）在关断瞬间产生的反电动势，保护主控开关器件（如MOSFET或IGBT）免受高压击穿。其快速恢复特性确保能量能够及时释放，避免电压尖峰造成系统故障。
　　另外，RS1D-13-F还可用于电源极性反接保护电路，串联在输入端以防止因错误接线导致后级电路损坏。在消费类电子产品（如智能手机配件、路由器、机顶盒）、工业控制系统（PLC、传感器模块）、通信设备（基站电源模块）以及汽车电子（车载充电模块、灯光控制单元）中均有广泛应用。由于其SMA封装兼容自动化贴片工艺，特别适合大规模批量生产，有助于降低制造成本并提高产品一致性。