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RS-06K1100FT 发布时间 时间:2025/6/16 17:01:48 查看 阅读:2

RS-06K1100FT是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用设计。它采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于电源管理、电机驱动以及各种工业和消费类电子产品中的功率转换场景。
  该器件采用TO-252封装形式,能够有效降低热阻并提高散热性能。由于其出色的电气特性,RS-06K1100FT在要求高效能和小尺寸的应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:6.8A
  导通电阻:11mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=13ns, toff=9ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  3. 优异的热性能,即使在高负载条件下也能保持稳定运行。
  4. 提供强大的过流保护和短路耐受能力,确保在异常情况下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

RS-06K1100FT广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
  3. 电机驱动和逆变器模块。
  4. 消费类电子产品的充电器和适配器。
  5. 工业控制和自动化设备中的功率级驱动部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP10NK06-08
  FDP067N06L

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