型号：RRL035P03
　　极性：P沟道
　　漏源电压VDS：-30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@TC=25°C）：-18A
　　脉冲漏极电流IDM：-72A
　　导通电阻RDS(on)（max）：3.5mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻RDS(on)（max）：4.8mΩ @ VGS = -4.5V
　　栅极电荷Qg（typ）：23nC @ VGS = -10V
　　输入电容Ciss（typ）：2190pF @ VGS = 0V, VDS = -15V
　　开启延迟时间td(on)（typ）：16ns
　　关断延迟时间td(off)（typ）：34ns
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：LFPAK（Power SO-8）
　　热阻RθJA（typ）：40°C/W
　　热阻RθJC（typ）：1.5°C/W

RRL035P03采用高性能的沟槽型MOSFET结构，在P沟道器件中实现了极低的导通电阻，显著降低了在大电流条件下的传导损耗，从而提高了整体系统的能效。其最大RDS(on)在VGS = -10V时仅为3.5mΩ，即使在较低的栅极驱动电压下（如-4.5V），也能维持4.8mΩ的低阻状态，确保在电池电压下降时仍能高效工作。这种低RDS(on)特性特别适合用于同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等对功耗敏感的应用场景。
　　该器件具有优化的栅极设计，输入电容Ciss典型值为2190pF，配合较低的栅极电荷（Qg typ 23nC），使得驱动电路所需的功率较小，有助于简化驱动器设计并减少开关过程中的能量损耗。同时，其快速的开关响应能力——开启延迟时间为16ns，关断延迟时间为34ns——保证了在高频开关应用中具备优良的动态性能，适用于现代高频率开关电源拓扑结构。
　　RRL035P03采用LFPAK（即Power SO-8）封装，这是一种底部散热增强型表面贴装封装，能够通过PCB上的铜箔有效散热，热阻RθJC低至1.5°C/W，极大地提升了功率密度和长期工作的可靠性。相比传统TO-252或DPAK封装，LFPAK在相同占位面积下提供更优的电气和热性能。此外，该封装兼容标准回流焊工艺，便于自动化生产，提高制造良率。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰。整体设计兼顾了安全性、效率与耐用性，是高端电源管理系统中的优选器件。

RRL035P03广泛应用于需要高效能P沟道MOSFET的各种电源管理电路中。典型应用包括手持式电子设备中的电池保护电路与电源切换开关，例如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器，利用其低导通电阻和快速响应特性实现高效的电源路径控制。在DC-DC降压变换器中，它常被用作上桥或下桥开关元件，特别是在非隔离式 buck 拓扑中作为同步整流管使用，以替代传统的肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提升转换效率。
　　该器件也适用于服务器和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），在这些系统中承担大电流输出路径的通断控制任务。由于其具备良好的热性能和高电流承载能力，RRL035P03可在高负载条件下持续运行而不易过热，保障系统稳定性。此外，在电机驱动电路、LED驱动电源以及UPS不间断电源系统中，该MOSFET可用于实现负载切断、反接保护或冗余电源切换功能。
　　在汽车电子领域，RRL035P03可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理单元以及辅助电池管理系统中，满足车规级对可靠性和耐温性的要求。其无铅环保设计和符合AEC-Q101标准的制造流程（若适用）进一步增强了其在严苛环境下的适用性。总体而言，凡是对效率、尺寸和热管理有较高要求的低压大电流开关应用，均可考虑采用RRL035P03作为核心功率开关元件。

IPD930P03L