RRH100P03 时间：2025/5/30 19:03:29 阅读：19

RRH100P03是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的工艺技术制造，具有卓越的开关性能和耐热能力。RRH100P03通常用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。
　　RRH100P03属于N沟道增强型MOSFET，其工作电压高达40V，能够承受较高的漏极电流。该芯片在静态和动态条件下均表现出优异的特性，例如较低的导通电阻和较小的栅极电荷，这使得它非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：100A
　　导通电阻：0.8mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　总栅极电荷：90nC
　　输入电容：2600pF
　　输出电容：1200pF
　　反向传输电容：500pF
　　结温范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流下实现高效的功率转换。
　　2. 小巧的栅极电荷和输出电容，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
　　3. 高度可靠的热性能，支持长时间稳定运行。
　　4. 耐雪崩能力较强，能够在异常情况下保护电路。
　　5. 提供出色的电磁兼容性（EMC）表现，减少对周围电路的干扰。
　　6. 支持大电流连续运行，适用于各种工业级和汽车级应用场景。
　　7. 宽泛的工作温度范围使其能够在极端环境下正常运作。

应用

RRH100P03广泛应用于以下领域：
　　1. 工业设备中的DC-DC转换器和逆变器。
　　2. 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、刹车系统和空调压缩机驱动。
　　3. 高效电机驱动和控制，包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
　　4. 大功率LED照明驱动电路。
　　5. 开关电源（SMPS）和其他需要高电流处理能力的场合。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块。
　　7. 各类负载开关和保护电路中作为关键元件使用。