类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：4.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：19A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=4.5V：22mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=2.5V：27mΩ
　　栅源阈值电压(VGS(th)) @ ID=250μA：0.4V ~ 0.8V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：10ns
　　最大功耗(PD)：1W @ Ta=25°C
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SSLP6 (CST3)
　　通道数：1
　　极性：N沟道
　　关断延迟时间(td(off))：10ns
　　开启延迟时间(td(on))：5ns
　　上升时间(tr)：5ns
　　下降时间(tf)：5ns

RRE02VS4SGTR具备多项关键技术特性，使其在同类产品中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在低电压操作条件下，能够有效提高电源转换效率。例如，在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为22mΩ，而在更低的驱动电压VGS=2.5V下仍可维持27mΩ的低阻值，这表明该器件兼容3.3V或1.8V逻辑控制信号，适合用于由微控制器直接驱动的场合，无需额外的电平转换电路。这种低阈值电压和低驱动电压下的良好表现，极大增强了系统的集成度和能效。
　　其次，该MOSFET采用了ROHM先进的沟槽式硅工艺技术，不仅提升了载流子迁移率，还优化了电场分布，从而增强了器件的耐压能力和长期可靠性。同时，其较小的输入电容（Ciss=420pF）和快速的开关时间（开启延迟5ns，关断延迟10ns）确保了高频开关应用中的响应速度，减少开关过渡期间的能量损耗，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。
　　再者，RRE02VS4SGTR采用SSLP6超小型封装，尺寸仅为约1.0mm×1.0mm×0.5mm，节省PCB空间，支持高密度布局，并具备良好的散热性能。尽管封装微小，但其热阻仍控制在合理范围内，配合适当的PCB铜箔设计可实现有效的热量散逸。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色制造要求。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=10ns），有助于抑制开关瞬态过程中的电压尖峰，提升系统稳定性。综合来看，RRE02VS4SGTR是一款集高性能、小型化、高可靠性和易用性于一体的先进功率MOSFET解决方案。

RRE02VS4SGTR广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。在便携式消费电子产品领域，它常被用作电池供电系统的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔保护。例如，在智能手机和平板电脑中，可用于摄像头模组、显示屏背光或无线通信模块的电源管理，利用其低静态电流和快速响应能力延长续航时间。此外，该器件也适用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，特别是在多相或多路输出的电源架构中，凭借其低RDS(on)和高电流能力，可显著提升转换效率并减少发热。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，RRE02VS4SGTR可用于微处理器或传感器的电源门控，实现动态电压频率调节（DVFS）策略下的精确电源控制。其低阈值电压特性允许直接由GPIO引脚驱动，简化了控制逻辑设计。在电机控制方面，该MOSFET可作为小型直流电机或步进电机的H桥驱动单元的一部分，适用于玩具、微型机器人或智能家电中的低功率驱动场景。
　　此外，由于其优异的开关特性和紧凑封装，RRE02VS4SGTR也被用于LED驱动电路中的PWM调光开关，提供稳定的电流切换能力。在电源适配器、充电器次级侧同步整流、USB Type-C PD协议相关的电源路径管理中也有广泛应用。工业领域中，可用于PLC模块、传感器节点和远程监控设备中的信号切换与隔离控制。总体而言，该器件适用于所有需要高效、小型化、可靠功率开关的现代电子系统。

[
　　 "RCE02VN400ANTR",
　　 "DMG2302UK-7",
　　 "AOZ8801DI"
　　]