产品类型：肖特基势垒二极管
　　通道数量：单通道
　　封装/外壳：SOD-123F
　　包装规格：卷带（Tape and Reel）
　　安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF@IF=1A）：580mV（典型值），670mV（最大值）
　　最大反向漏电流（IR@VR=40V, Ta=25°C）：100μA（最大值）
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（Junction-to-Ambient, RθJA）：约250°C/W
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15ns（典型值）

RR1LAM4STFTR的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与快速的开关响应速度。在1A的工作电流下，其典型正向压降仅为580mV，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。这一特性使其特别适用于电池供电设备中的DC-DC升压或降压转换电路，能够有效延长续航时间并减少发热问题。
　　该器件具备出色的动态响应能力，反向恢复时间（trr）不超过15ns，远优于普通整流二极管，因此在高频开关应用中可有效抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性与EMC兼容性。同时，由于其金属-半导体接触结构本身不具备少子存储效应，故不存在拖尾电流现象，进一步增强了其在高速整流场景下的适用性。
　　SOD-123F封装不仅实现了超小尺寸，还通过优化内部引线连接和焊盘设计提升了散热效率，使得RR1LAM4STFTR即使在高负载条件下也能维持较低的结温上升。这种高功率密度设计非常适合空间受限但需要一定电流处理能力的应用场合。此外，该器件在高温环境下的反向漏电流控制良好，在40V反向电压和室温条件下最大仅为100μA，确保了在待机或轻载状态下的低静态功耗表现。
　　Rohm对该产品实施了严格的质量管控流程，确保每批器件都具备一致的电气参数和长期可靠性。其宽达-55°C至+150°C的工作结温范围支持其在恶劣环境条件下的稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路等多种严苛应用场景。综上所述，RR1LAM4STFTR是一款集小型化、高效率、快速响应和高可靠性于一体的先进肖特基二极管，是现代高效电源设计的理想选择。

RR1LAM4STFTR广泛用于各类需要高效整流与低损耗功率转换的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器，如智能手机、平板电脑和智能手表中的电源模块，其中其低正向压降特性有助于提高能量转换效率并降低发热。它也常用于同步整流替代方案中，作为续流二极管在BUCK、BOOST及SEPIC拓扑结构中提供快速响应与低损耗路径。
　　在电源适配器、充电器和LED驱动电路中，该器件可用于输出整流环节，提升整体效率并满足能源之星等能效认证要求。此外，在电池管理系统（BMS）中，RR1LAM4STFTR可用于防止反向放电或实现充放电路径隔离，保障系统安全。其快速恢复特性也使其适用于高频逆变器、开关电源（SMPS）次级侧整流以及信号解调电路中。
　　在工业自动化设备、传感器节点和物联网（IoT）终端中，由于这些系统通常依赖有限的电源供应且对空间布局有严格限制，RR1LAM4STFTR的小型化封装与高效性能成为理想选择。它还可用于保护电路中，例如防止电源反接损坏后级IC，或作为瞬态电压抑制辅助元件。在汽车电子领域，尽管非车规级认证，但在部分车载附属设备如行车记录仪、车载娱乐系统中也可用于低功率电源管理单元。总之，凡是对尺寸、效率和响应速度有较高要求的低压直流电源系统，均适合采用RR1LAM4STFTR作为核心整流元件。

RB156V-40,RB054L-40,RB520S-40,RB751S-40,S1FL-13-F