时间：2025/6/17 14:18:21
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RQA0004LXTL-E 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高频率性能之间实现了良好的平衡，从而能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力，非常适合要求高效能和小尺寸的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：4 mΩ
总栅极电荷：19 nC
开关时间：ton = 13 ns, toff = 9 ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率设计。
4. 增强的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 小型封装，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 具有出色的 ESD 性能，提升系统可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动及控制。
5. 各类工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的负载切换与保护。
7. 通信设备中的高效电源管理解决方案。
RQA0004LXTL-D, RQA0005LXTL-E, IRF7843
