型号：RQ6C050UN
　　制造商：ROHM
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：5.0A（@ TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　导通电阻 RDS(on)：42mΩ（@ VGS=4.5V）
　　导通电阻 RDS(on)：35mΩ（@ VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：0.7V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：530pF（@ VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC（@ VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（Power SOP）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

RQ6C050UN采用了ROHM专有的沟槽栅极结构技术，这种结构通过优化沟道布局显著降低了导通电阻，同时提升了单位面积的电流承载能力。其低RDS(on)特性使得在大电流条件下功耗更低，有助于提高整体系统的能效并减少散热需求。该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（42mΩ），表明其具备良好的低压驱动兼容性，非常适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器控制的开关电路。此外，RQ6C050UN具有较小的栅极电荷（Qg=8.5nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，能够有效降低开关损耗，提升电源转换效率。
　　该MOSFET的电容参数经过优化，输入电容（Ciss）为530pF，反向传输电容（Crss）仅为40pF，这有助于减少米勒效应带来的寄生导通风险，提高在高速开关应用中的稳定性。体二极管的反向恢复时间短（trr=16ns），可有效抑制反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）并防止电压过冲，特别适用于同步整流拓扑结构。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持在高温环境下持续运行，增强了其在严苛工业环境中的适用性。SOP-8 Power封装不仅提供了良好的热传导性能，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率与产品一致性。此外，RQ6C050UN通过了AEC-Q101可靠性认证（如适用），确保在汽车电子等高要求领域中的长期可靠性。

RQ6C050UN广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，常用于锂电池供电的设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等的电源管理模块，作为负载开关或电池保护电路中的关键元件，实现对电源路径的精确控制。在DC-DC转换器中，尤其是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，该器件可作为主开关或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率。此外，在电机驱动应用中，如微型风扇、振动马达或小型步进电机的驱动电路中，RQ6C050UN能够提供稳定的电流切换能力，确保驱动响应迅速且发热可控。
　　在工业控制系统中，该MOSFET可用于传感器供电开关、继电器驱动或PLC模块中的数字输出通道。由于其具备良好的抗噪能力和温度稳定性，也适合部署在环境条件较为恶劣的场合。在LED照明驱动方案中，RQ6C050UN可用于恒流调节回路中的开关元件，实现亮度调光功能。此外，它还可用于USB电源开关、热插拔控制器以及各种电池管理系统（BMS）中的充放电控制单元。得益于其SOP-8封装的小尺寸优势，该器件尤其适合高密度PCB布局设计，满足现代电子产品对轻薄化和高性能的双重需求。

RQ6C050NTR
　　RQ6C060N