型号：RQ5E035AT
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）@25°C：90A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.7V，范围1.4V~2.2V
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：最大3.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：最大2.8mΩ
　　输入电容（Ciss）：典型值4500pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：典型值1200pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值15ns
　　二极管正向压降（VSD）：典型值1.1V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

RQ5E035AT的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。在VGS=4.5V时，其RDS(on)最大仅为3.5mΩ，这意味着即使在大电流条件下也能保持较低的温升，减少了对额外散热措施的需求。这一特性使其非常适合用于高电流、高频率的同步降压转换器中作为主开关或整流元件。
　　其次，该器件采用先进的沟槽栅极技术，不仅提升了载流子迁移率，还有效减小了芯片尺寸，在保证高性能的同时实现了小型化封装。这种结构还能改善栅极电荷分布，降低开关过程中的能量损耗，从而提高开关速度并减少开关噪声。配合较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），RQ5E035AT可在高频PWM控制下表现出色，适用于现代数字电源管理系统。
　　再者，RQ5E035AT具备出色的热稳定性和长期可靠性。其封装采用无铅、符合RoHS标准的设计，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压蒸煮（HAST）和温度循环试验，确保在严苛环境下的耐用性。内部集成的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约15ns），可有效抑制换流过程中的电压尖峰，防止误导通和能量浪费，尤其有利于桥式电路中的安全换向操作。
　　此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够在4.5V以上的栅压下完全导通，便于与低压控制IC直接接口，无需额外的电平转换电路。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也使其适用于汽车电子、工业控制等对温度适应性要求高的场合。综合来看，RQ5E035AT是一款兼具高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET产品。

RQ5E035AT广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括：同步降压型DC-DC转换器，特别是在服务器电源、笔记本电脑电源管理单元以及嵌入式系统中作为上下管使用；电池供电设备中的电源开关和负载切换，例如便携式医疗仪器、电动工具和无人机电源模块；电机驱动电路，用于控制直流电机或步进电机的启停与方向切换，常见于打印机、扫描仪和自动化设备中；此外，它也被用于LED驱动电源、热插拔控制器和电源分配网络中的过流保护开关。
　　在通信设备领域，RQ5E035AT可用于基站电源模块、光模块供电管理等对效率和空间有严格要求的场合。其小型化封装特别适合高密度布局的PCB设计，有助于缩小终端产品的体积。同时，由于其良好的开关特性和低传导损耗，该器件也常被选用于多相VRM（电压调节模块）设计中，以满足高性能CPU和GPU对动态响应和能效的严苛要求。
　　在汽车电子方面，尽管RQ5E035AT并非AEC-Q101认证器件，但其性能参数仍可用于部分非关键车载系统，如车载信息娱乐系统的电源管理、车内照明控制或辅助电源转换器等。只要工作条件在其规格范围内，即可提供稳定的功率控制功能。总体而言，RQ5E035AT凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，成为众多中低电压、大电流功率转换应用的理想选择。

RJK0355DPB
　　SI4404DY-T1-E3
　　IRLHS3442