时间：2025/4/30 12:22:13
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RQ3E160ADTB 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，由知名半导体公司 Rohm 生产。该器件采用 TO-252 封装形式，适用于各种需要高效功率开关的应用场景。其设计优化了导通电阻和栅极电荷等关键参数，能够在高频开关应用中提供出色的效率和可靠性。
RQ3E160ADTB 的工作电压范围较广，能够满足多种工业、汽车及消费电子领域的需求。由于其低导通电阻特性，该 MOSFET 特别适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用。
漏源击穿电压：40V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：16mΩ
栅极电荷：9nC
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-252
RQ3E160ADTB 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻：在高电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能：得益于低栅极电荷设计，使得该 MOSFET 在高频应用中表现出色。
3. 高可靠性：经过严格的质量控制和测试，确保在恶劣环境下的稳定运行。
4. 广泛的工作电压范围：支持高达 40V 的漏源击穿电压，适用于多种应用场景。
5. 小型封装：TO-252 封装节省 PCB 空间，便于设计灵活布局。
6. 高温性能：最大工作结温可达 175℃，适合高温环境下使用。
RQ3E160ADTB 的典型应用包括但不限于以下领域：
1. DC-DC 转换器：用于降压或升压转换电路中的功率开关。
2. 负载开关：实现对不同负载的有效通断控制。
3. 电机驱动：为小型直流电机提供高效的驱动能力。
4. 电池管理系统：用于电池保护和充放电管理电路。
5. 开关电源：作为主功率开关，应用于适配器和充电器。
6. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）中的开关元件。
RQ3E160ADTBR, RQ3E160ADT
