型号：RQ3E120AT
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大连续漏极电流（ID）：3 A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：12 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（Vth）：典型值 4.5 V，范围 3.5 ~ 5.5 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 1.2 Ω @ VGS=15V, ID=1.5A
　　最大RDS(on)：1.5 Ω @ VGS=15V
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF @ VDS=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约 180 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

RQ3E120AT采用了瑞萨电子先进的超级结（Super Junction）结构与场截止沟槽栅技术相结合的设计方案，使其在高压条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。这种结构通过精确控制漂移区的掺杂分布，显著降低了单位面积下的比导通电阻（Rsp），从而提升了器件的整体能效。其典型的RDS(on)仅为1.2Ω，在同类1200V MOSFET中处于领先水平，能够在较小的封装尺寸下实现更高的电流承载能力。
　　该器件具备出色的动态性能表现，输入电容和反馈电容均经过优化，有效减少了高频开关过程中的驱动功耗和米勒效应影响，提高了系统的开关速度和稳定性。同时，其体二极管经过特殊设计，具有较短的反向恢复时间（trr约45ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），可大幅降低桥式电路中因换流引起的电压尖峰和能量损耗，避免发生二次击穿现象，增强系统可靠性。
　　RQ3E120AT拥有良好的热稳定性和长期可靠性，芯片结构采用无铅、符合RoHS标准的材料制造，并通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等。其TO-247封装具备优良的散热路径，允许将热量高效传导至散热器，确保器件在高负载工况下仍能维持安全的工作结温。此外，该MOSFET对雪崩能量有一定的耐受能力，提升了在异常工况下的鲁棒性，适用于对安全性要求较高的工业电源系统。

RQ3E120AT主要应用于需要高电压隔离和高效能转换的电力电子设备中。典型应用场景包括工业级AC-DC和DC-DC电源转换器，特别是在PFC（功率因数校正）升压级电路中作为主开关使用，能够有效提升系统效率并满足能源法规要求。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的斩波或辅助电源模块，凭借其低导通损耗和快速开关特性，有助于提高整体转换效率并减小系统体积。
　　此外，RQ3E120AT也适用于不间断电源（UPS）系统中的DC-AC逆变电路，尤其在中小功率段（1kW~5kW）表现出色。其稳定的高温性能和抗浪涌能力使其能在市电波动或突发负载变化时保持可靠运行。在电动汽车充电桩领域，该MOSFET可用于车载充电机（OBC）或直流辅助电源单元，支持宽输入电压范围下的高效运作。
　　其他应用还包括感应加热设备、LED大功率驱动电源、工业电机驱动器中的辅助电源以及高压直流继电器驱动电路。由于其具备较强的抗噪声能力和稳定的栅极控制特性，RQ3E120AT也可用于存在较强电磁干扰的工业环境中，保障控制系统长时间稳定工作。

RK3E120AN