RQ1R50 时间：2025/8/27 22:59:11 阅读：5

RQ1R50是一款由Renesas（瑞萨电子）公司推出的功率MOSFET器件，主要面向高效率电源转换系统设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力等特点，适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关以及电机驱动等应用场景。RQ1R50采用紧凑型封装，具备优异的热管理和电气性能，能够在高频率开关条件下保持稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值1.5mΩ（典型值可能更低）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：H8QFP（高散热性能封装）

特性

RQ1R50的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流容量和耐压能力使其适用于高功率密度设计。该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构技术，提供优异的开关性能和稳定性。此外，RQ1R50具备良好的热管理能力，能够在高温环境下可靠运行，延长设备的使用寿命。其封装设计优化了散热路径，有助于快速散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载条件下的稳定表现。RQ1R50还具有较强的抗浪涌电流能力和高雪崩耐量，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
　　RQ1R50的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与各种控制电路配合使用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的EMI（电磁干扰）性能，能够在高频工作条件下保持较低的噪声水平，适用于对电磁兼容性要求较高的应用场合。

应用

RQ1R50广泛应用于各种电力电子系统，包括服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制、电池管理系统、电机驱动器和DC-DC转换器等。在新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备中，RQ1R50也常用于高效功率转换模块的设计。其高可靠性和优异的热性能使其成为汽车电子系统中关键电源管理部分的理想选择。此外，RQ1R50还可用于高功率LED照明系统、不间断电源（UPS）以及各种高效率电源适配器。