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RPM-20PB 发布时间 时间:2025/5/10 17:34:39 查看 阅读:9

RPM-20PB是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供出色的效率和可靠性。
  该芯片的主要特点是其强大的电流处理能力和较低的功耗,适合用于需要大功率输出的应用中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:20A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关频率:500kHz
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

RPM-20PB具有非常低的导通电阻,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗,从而提高整体系统效率。
  该器件还具有较高的开关速度,可支持高达500kHz的工作频率,适用于高频开关应用。
  其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围,使其能够在恶劣环境中保持稳定运行。
  此外,RPM-20PB内置了过流保护和热关断功能,以增强系统的安全性和可靠性。

应用

RPM-20PB主要用于需要高功率密度和高效率的场合,例如:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动电路
  - 电池充电管理
  - 工业自动化设备中的功率控制模块
  - LED驱动器
  其广泛的适用性使得RPM-20PB成为许多功率电子系统中的理想选择。

替代型号

RPM-20PA, IRFZ44N, FDP5500

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RPM-20PB参数

  • 制造商ROHM Semiconductor
  • 产品种类Phototransistors
  • 最大功率耗散100 mW
  • 最大暗电流0.5 uA
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO32 V
  • 下降时间10 us
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 25 C
  • 封装Bulk
  • 上升时间10 us
  • 类型IR Chip