型号：RPI-0126
　　制造商：Raytheon
　　工艺技术：GaAs MMIC
　　工作频率范围：2 GHz 至 18 GHz
　　噪声系数：≤ 2.5 dB（典型值）
　　增益控制范围：≥ 40 dB
　　输出P1dB：≥ 10 dBm
　　IIP3（三阶交调点）：≥ 20 dBm
　　供电电压：+5 V 和 ±5 V 可选
　　静态电流：≤ 120 mA
　　控制接口：模拟/数字可编程增益控制
　　封装类型：陶瓷表面贴装，20引脚
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +125°C
　　ESD耐受能力：≥ 2 kV（HBM模型）

RPI-0126的核心优势在于其高度集成化的射频前端设计，能够在极宽的频率范围内实现高性能信号接收。该芯片内部集成了低噪声放大器（LNA），其噪声系数低至2.5 dB以下，确保在微弱信号输入条件下仍能保持高信噪比，从而提升整个接收链路的灵敏度。同时，LNA具备良好的输入匹配特性，在2–18 GHz全频段内具有优异的回波损耗（S11 < -10 dB），减少了外部匹配网络的设计复杂度。
　　其可变增益放大器（VGA）部分提供了超过40 dB的增益调节范围，支持线性dB模式或线性电压控制模式，用户可通过模拟电压或数字接口进行精确增益调节，适应不同信号强度下的动态范围需求。VGA具备高线性度表现，三阶交调点（IIP3）可达20 dBm以上，有效抑制强干扰信号带来的非线性失真，保障多载波或高密度调制信号的保真传输。
　　集成的混频器部分采用无源双平衡结构，提供良好的端口隔离性能和本振驱动效率，典型本振驱动电平为0 dBm，降低了对外部LO源的功率要求。混频器输出中频带宽支持DC至1 GHz，兼容多种中频采样架构，便于与ADC直接连接实现软件定义无线电（SDR）系统。
　　该器件采用GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit（MMIC）工艺，不仅保证了高频性能的稳定性，还增强了抗辐射和温度漂移的能力，特别适用于机载、舰载及地面移动平台等复杂电磁环境下的应用。此外，芯片内置的偏置管理电路和故障保护机制进一步提升了系统级可靠性，减少外围元件数量，降低整体设计成本和PCB面积占用。

RPI-0126广泛应用于高性能射频接收系统中，尤其适合对灵敏度、动态范围和频率覆盖有严苛要求的军事与高端通信领域。在相控阵雷达系统中，该芯片作为每个T/R模块的接收通道核心组件，能够有效增强目标探测能力和抗干扰性能，支持多频段扫描和快速波束切换功能，提升雷达系统的反应速度和精度。
　　在电子战（EW）系统中，RPI-0126用于宽频带信号侦测与分析，其2–18 GHz的超宽频率覆盖能力使其能够捕捉从C波段到Ku波段乃至部分K波段的威胁信号，配合高速数字信号处理器可实现瞬时测频、信号识别与方向定位等功能，是现代电子支援措施（ESM）和电子对抗（ECM）系统的关键前端器件。
　　在卫星通信和宽带无线回传设备中，RPI-0126可用于地面站或机载终端的射频前端，支持QPSK、16-QAM乃至更高阶调制格式的解调需求，保障高数据速率下的链路稳定性。其低噪声和高线性特性有助于延长通信距离并提高频谱利用率。
　　此外，该芯片也适用于测试与测量仪器，如便携式频谱分析仪、信号监测设备和射频仿真器等，为其提供高保真的前端信号调理能力。由于其小型化封装和高集成度，RPI-0126还可用于无人机通信载荷、战术电台和隐身平台上的低截获概率（LPI）接收系统，满足现代战场对隐蔽性和多功能集成的需求。

HMC1040LP5E
　　ADAR1000
　　MAX2650