RPF88143B 时间：2025/4/29 13:42:46 阅读：19

RPF88143B是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用PDFN5x6-8封装形式。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关特性的场合。其卓越的电气性能使其成为消费电子、工业控制以及汽车电子等领域中的理想选择。RPF88143B通过优化设计降低了栅极电荷和输出电容，从而显著提升了开关速度和系统效率。
　　此外，该MOSFET具备出色的热稳定性，能够在较高结温条件下持续工作，确保了系统的可靠性。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：25A
　　导通电阻（典型值）：2.5mΩ
　　栅极电荷：25nC
　　输入电容：1300pF
　　总电容：30pF
　　功耗：150W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

RPF88143B具有非常低的导通电阻，能够有效降低导通损耗并提升整体效率。同时，其快速的开关特性得益于较小的栅极电荷和优化的寄生参数，这使得它非常适合高频开关应用。
　　此外，该器件具备良好的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下保护电路不受损坏。其紧凑的PDFN5x6-8封装也使其成为空间受限应用的理想解决方案。
　　RPF88143B还支持多种保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，这些特点进一步增强了其在实际应用中的可靠性。

应用

RPF88143B广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电源管理模块以及其他需要高效功率转换的场景中。
　　在消费类电子产品中，它可以用于笔记本电脑适配器、平板充电器等设备。在工业领域，这款MOSFET适用于伺服控制系统、逆变器和不间断电源(UPS)系统。另外，在汽车电子方面，它可被部署于电动助力转向系统、燃油喷射控制器以及电池管理系统(BMS)之中。