RPF88130B 时间：2025/5/22 14:46:27 阅读：4

RPF88130B是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于高频开关应用和直流电机驱动等场景。其低导通电阻特性和高击穿电压确保了在各种复杂工况下的稳定运行。
　　这款MOSFET主要针对消费电子、工业控制以及汽车电子等领域设计，具备出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：13A
　　导通电阻（典型值）：15mΩ
　　栅极电荷：3.5nC
　　总电容（输入电容）：110pF
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-252

特性

RPF88130B具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输出电荷，适合高频应用场景。
　　3. 优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的工作状态。
　　4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
　　5. 小型化封装，节省PCB空间，方便布局设计。
　　这些特性使得RPF88130B成为高效电源转换器、电机驱动器和负载开关的理想选择。

应用

RPF88130B广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
　　3. 各种电池供电设备中的负载开关。
　　4. 消费类电子产品中的电机驱动电路。
　　5. 工业自动化控制中的信号隔离与功率传输。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，该器件在各类高效率、小体积的设计中表现尤为突出。