类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：140A（在 25°C 下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大 2.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：HITFET? Power Package（如 TO-247 或等效封装）

RP60Q-RUW 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了 ROHM 独家的沟槽式 MOSFET 结构，优化了电流流动路径，从而实现了更低的 Rds(on) 和更高的电流处理能力。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，使其在瞬态过电压条件下仍能保持稳定运行。
　　另一大亮点是其出色的热管理性能。RP60Q-RUW 使用了高热导材料和优化的封装设计，使得在高功率应用中能够有效散热，避免因温度过高而导致的性能下降或器件损坏。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其非常适合用于高频开关电源应用。
　　RP60Q-RUW 还具备良好的短路耐受能力，这在电机控制和负载开关等应用中尤为重要。该器件在极端工作条件下仍能保持可靠运行，从而提高了系统的整体稳定性和寿命。

RP60Q-RUW 主要应用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。常见的应用包括汽车电子中的电机驱动器、车载 DC-DC 转换器、工业电源系统、服务器电源、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及高功率 LED 照明驱动器等。其优异的导通特性和热性能也使其成为高频率开关电源（SMPS）的理想选择。
　　此外，该 MOSFET 还广泛用于功率因数校正（PFC）电路、同步整流器、负载开关和热插拔电源管理模块。在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的充电系统中，RP60Q-RUW 也被用于主开关和辅助电源转换模块。

SiR140DP-T1-GE, IPP140N10N3 G, STD140N6F7AG, IPW60R1K1PFD7S