RP131H511D-T1-FE是一款由Ricoh(理光)公司生产的高性能、低功耗、低压差线性稳压器(LDO),属于RP131系列的一部分。该器件专为便携式设备和对电源噪声敏感的应用设计,具有高精度输出电压、快速瞬态响应以及极低的静态电流等优点。其固定输出电压为1.1V,出厂时已通过激光微调技术精确设定,确保输出电压的稳定性和一致性。该LDO采用小型化封装形式(通常为DFN1212-4或类似尺寸),非常适合空间受限的便携式电子设备,如智能手机、可穿戴设备、物联网节点、传感器模块和蓝牙设备等。RP131H511D-T1-FE支持宽输入电压范围(通常可达0.9V至6.0V),能够兼容多种电池供电系统,包括单节锂离子/锂聚合物电池以及其他低电压直流电源。此外,该芯片内置了多重保护功能,例如过流保护(OCP)、过温保护(TSD)和反向电流阻断,有效提升了系统的可靠性和安全性。器件的工作温度范围一般为-40°C至+85°C,适用于大多数工业级应用场景。值得一提的是,RP131系列采用了CMOS工艺制造,并结合了先进的反馈控制架构,在保持极低静态电流的同时仍能提供高达300mA的输出电流能力,满足多数中低功耗应用的需求。
型号:RP131H511D-T1-FE
制造商:Ricoh(理光)
产品类型:低压差线性稳压器(LDO)
输出电压:1.1V(固定)
输出电压精度:±2%
最大输出电流:300mA
输入电压范围:0.9V ~ 6.0V
压差电压(典型值):180mV @ 300mA
静态电流(IQ):典型值2.0μA,最大值4.0μA
关断电流:≤0.1μA
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:DFN1212-4(1.2mm x 1.2mm x 0.6mm)
引脚数:4
保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(TSD)、反向电流防止
稳定性要求:支持陶瓷电容输出(最小1.0μF)
PSRR(电源抑制比):70dB @ 1kHz(典型值)
负载瞬态响应:良好,支持快速负载变化
使能引脚(CE):有,高电平有效
RP131H511D-T1-FE具备多项先进特性,使其在众多LDO产品中脱颖而出。首先,其超低静态电流(典型值仅为2.0μA)显著延长了电池供电设备的续航时间,特别适合长期运行且对能耗极为敏感的应用场景,如无线传感器网络、智能手表和医疗监测设备。这一特性得益于其采用的创新CMOS架构与优化的偏置电路设计,在保证性能的同时最大限度地降低待机功耗。
其次,该器件拥有出色的电源抑制比(PSRR),在1kHz频率下可达70dB,能够在存在输入电源波动或噪声干扰的情况下,依然维持稳定的输出电压,从而保护后级敏感模拟电路(如ADC、RF模块或音频放大器)免受电源噪声影响。
再者,RP131H511D-T1-FE集成了快速瞬态响应机制,即使在负载电流发生剧烈跳变(例如从1mA突增至200mA)时,也能迅速调整内部驱动晶体管的工作状态,将输出电压波动控制在极小范围内(通常小于±50mV),确保系统稳定运行。
其压差电压仅为180mV左右(在300mA负载下),意味着即使输入电压接近输出电压时,仍能持续提供额定输出,提高了电池能量利用率,尤其适用于锂电池放电末期的低压工况。
此外,该LDO支持使用小型陶瓷电容器(最小1.0μF)作为输出电容,无需额外的ESR(等效串联电阻)要求,简化了外围电路设计并减小了整体PCB面积。DFN1212-4的小型封装进一步增强了其在高密度布局中的适用性。
最后,内置的过温保护和过流保护功能可在异常条件下自动切断输出或限制电流,防止芯片损坏,提升系统可靠性。使能引脚(CE)允许外部MCU对其进行开关控制,实现电源管理策略的灵活配置。
RP131H511D-T1-FE广泛应用于各种对空间、功耗和电源质量要求较高的电子设备中。在便携式消费类电子产品领域,它常用于为微控制器单元(MCU)、传感器、实时时钟(RTC)、存储器模块和其他低功耗数字逻辑电路提供干净、稳定的1.1V电源轨。例如,在智能手环或智能手表中,该LDO可以由主锂电池供电,为运动传感器、心率检测模块或蓝牙低功耗(BLE)芯片组供电,确保长时间待机和精准信号采集。
在物联网(IoT)设备中,由于这类设备往往部署在远程位置并依赖电池运行多年,因此对电源效率要求极高。RP131H511D-T1-FE的纳安级静态电流特性使其成为理想的电源解决方案,可用于无线传感节点、环境监控终端或智能家居传感器中,为射频收发器和微处理器提供高效稳压。
在通信模块方面,该器件可用于为Wi-Fi、Zigbee或LoRa等无线模块中的基带处理部分供电,利用其高PSRR特性抑制来自主电源的噪声干扰,提升通信质量和抗干扰能力。
此外,在工业自动化和医疗电子设备中,该LDO也发挥着重要作用。例如,在便携式血糖仪、体温计或血压计中,它可以为精密测量前端和低功耗处理器供电,确保测量结果的准确性和设备的长寿命。
由于其小型封装和良好的热性能,该器件还可用于高密度多层PCB设计,如模块化电源板、FPGA辅助电源轨或DDR内存参考电压源等场合。其宽输入电压范围也使其能够适应不同类型的电池系统,包括单节锂电、镍氢电池组或经过降压转换后的中间电源轨。
XC6223B11MR-G
RT9062-11GB
TPS7A0211DDCR
ME6211C11M5G-N