时间：2025/5/22 15:10:37
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RP114N281D-TR-FF 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换场景。
RP114N281D-TR-FF 的封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供良好的散热性能和高可靠性，非常适合工业和消费类电子设备中的电源管理模块。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
总栅极电荷(Qg)：39nC
输入电容(Ciss)：1780pF
输出电容(Coss)：110pF
反向传输电容(Crss)：27pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
RP114N281D-TR-FF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适用于开关电源、DC-DC转换器等应用。
3. 高额定电流能力 (Id)，可以满足大功率负载需求。
4. 紧凑且高效的 DPAK 封装，提供了良好的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应恶劣环境条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使得 RP114N281D-TR-FF 成为高性能功率转换电路的理想选择。
RP114N281D-TR-FF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 电池保护系统中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 消费电子产品中的高效能电源管理单元。
由于其低导通电阻和快速开关能力，这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
RP114N281D-TR, IRF2807ZPBF, AO6410
