时间：2025/5/24 15:03:12
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RP114K301D-TRB 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型功率场效应晶体管。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的电子设备中。RP114K301D-TRB 采用了先进的制造工艺，能够在高频率和高压条件下提供卓越的性能表现。
此器件具有低导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功耗并提高系统效率。此外，其快速开关特性和出色的热稳定性也使其成为众多工业和消费类应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：52A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ
栅极电荷：87nC
输入电容：2670pF
总功耗：270W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247-3
RP114K301D-TRB 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 52A 的连续漏极电流输出，适用于大功率场景。
3. 快速开关速度，适合高频操作环境，减少开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端条件下的可靠运行。
5. 强大的抗浪涌能力，进一步增强了产品的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
RP114K301D-TRB 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动器和变频器的逆变桥路设计。
3. 新能源汽车的车载充电器和电池管理系统。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率调节单元。
5. 各种高功率负载控制电路，例如 LED 照明驱动器和电磁阀控制器。
RP114K301D, IRF2807ZPBF, SI4865DY
