您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RP112N181D-TR-FE

RP112N181D-TR-FE 发布时间 时间:2025/12/28 5:15:32 查看 阅读:67

RP112N181D-TR-FE是一款由Ricoh(理光)公司生产的高性能、低噪声、低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于对电源噪声敏感和空间受限的便携式电子设备中。该器件属于RP112N系列,采用先进的CMOS工艺制造,并结合了高精度的基准电压源与误差放大器,确保输出电压的稳定性和精确度。RP112N181D-TR-FE的标称输出电压为1.8V,输出精度在常温下可达±1%,适用于需要精密供电的微处理器、传感器、射频模块及逻辑电路等应用场景。
  该LDO具有极低的静态电流(典型值约3.0μA),显著延长了电池供电设备的工作时间,是物联网(IoT)、可穿戴设备、无线传感器节点等低功耗应用的理想选择。同时,其超小型封装形式(如DFN1210-4或类似尺寸)极大地节省了PCB布局空间,符合现代电子产品小型化、高集成度的设计趋势。
  RP112N181D-TR-FE内置多种保护功能,包括过流保护和热关断保护,提升了系统在异常工况下的可靠性与安全性。此外,该器件支持使用小型陶瓷电容作为输出电容(通常0.47μF或以上),有助于减小整体外围元件体积并优化瞬态响应性能。由于其优异的负载调整率和线路调整率,即使输入电压或负载电流发生波动,输出电压仍能保持高度稳定。

参数

型号:RP112N181D-TR-FE
  制造商:Ricoh(理光)
  产品系列:RP112N
  器件类型:低压差线性稳压器(LDO)
  输出电压:1.8V(固定)
  输出电压精度:±1%(Ta=25°C)
  最大输出电流:300mA
  输入电压范围:2.0V~6.0V
  压差电压:180mV(Iout=150mA,Typ.)
  静态电流:3.0μA(Typ.)
  关断电流:0.1μA(Max.)
  工作温度范围:-40°C~+85°C
  封装形式:DFN1210-4(1.2mm×1.0mm)
  输出电容类型:陶瓷电容
  保护功能:过流保护、热关断
  稳定性要求:支持0.47μF及以上陶瓷输出电容

特性

RP112N181D-TR-FE具备多项先进特性,使其在同类LDO产品中表现出色。首先,其超低静态电流设计(典型值仅3.0μA)极大降低了待机功耗,特别适合长期运行且依赖电池供电的应用场景,如智能手表、蓝牙耳机、环境监测传感器等。这一特性使得设备能够在休眠或低负载模式下最大限度地节约能源,从而延长续航时间。
  其次,该LDO采用了高增益、低偏置电流的误差放大器结构,并结合内部精确的基准电压源,实现了±1%的高输出电压精度。这种高精度对于现代低电压数字电路(如MCU、FPGA I/O供电)至关重要,能够有效避免因电压偏差导致的逻辑错误或性能下降。此外,1.8V的固定输出电压正好匹配众多低功耗处理器和通信芯片的核心供电需求。
  第三,RP112N181D-TR-FE支持使用小型片式陶瓷电容器(最小0.47μF)作为输出滤波电容,无需额外添加ESR电阻,简化了外部电路设计,减少了元件数量和PCB占用面积。这不仅降低了系统成本,还提升了高频噪声抑制能力,增强了电源完整性。
  第四,该器件具有出色的瞬态响应性能,在负载电流快速变化时仍能维持稳定的输出电压,防止系统出现复位或数据丢失。其低压差特性(180mV @ 150mA)允许在接近输出电压的输入条件下正常工作,提高了能量利用效率,尤其适用于电池电压逐渐下降的应用环境。
  最后,集成的过流保护和热关断功能可在短路或过载情况下自动限制电流并关闭输出,保护芯片和系统免受损坏,提升整体可靠性。

应用

RP112N181D-TR-FE因其低功耗、小尺寸和高稳定性,广泛应用于各类便携式和嵌入式电子设备中。常见应用包括智能手机中的传感器供电模块,如加速度计、陀螺仪、环境光传感器等,这些模块通常要求极低的静态功耗和干净的电源轨以保证测量精度。
  在可穿戴设备领域,如智能手环、健康监测贴片和TWS耳机中,该LDO为蓝牙SoC、心率检测芯片和存储单元提供稳定的1.8V电源,同时其微型DFN封装有助于实现设备的小型化与轻薄化设计。
  在物联网终端节点中,例如无线传感网络(WSN)、智能家居传感器(温湿度、烟雾探测器),RP112N181D-TR-FE可为MCU和无线收发器(如Sub-GHz、Zigbee、LoRa模块)提供高效、低噪声的电源管理方案,确保长时间电池供电下的可靠运行。
  此外,该器件也适用于工业控制中的精密模拟前端(AFE)、便携式医疗仪器(如血糖仪、脉搏血氧仪)、以及消费类电子产品中的音频编解码器、摄像头模组供电等场景。其宽输入电压范围(2.0V~6.0V)使其兼容多种电池类型(如锂离子、碱性电池组),增强了系统设计的灵活性。
  在FPGA或ASIC的辅助电源设计中,RP112N181D-TR-FE可用于为I/O接口或待机逻辑供电,满足对电源纹波敏感电路的需求。总之,凡是需要高精度、低噪声、低功耗稳压电源的场合,该LDO都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

[
   "XC6219B181MR-G",
   "S-1206A18-M5T1G",
   "MIC5205-1.8YM5-TR",
   "TPS7A0518DRYR",
   "RT9193-18GB",
   "AP2112K-1.8TRG"
  ]

RP112N181D-TR-FE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RP112N181D-TR-FE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥9.46000剪切带(CT)3,000 : ¥4.05445卷带(TR)
  • 系列RP112x
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置正
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)5.25V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)1.8V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.41V @ 150mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)100 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR80dB ~ 65dB(1kHz ~ 100kHz)
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装SOT-23-5