RP111L281D-TR 时间：2025/5/8 17:52:44 阅读：10

RP111L281D-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的电气性能和可靠性，适用于电源管理、电机驱动、负载开关等多种应用领域。
　　该型号属于逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET，支持较低的栅极驱动电压，使其非常适合电池供电系统或低压操作环境。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏电流：67A
　　导通电阻：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：55nC（典型值）
　　总电容：1650pF（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

RP111L281D-TR 的主要特点是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有快速开关能力，可降低开关损耗并支持高频操作。它的栅极阈值电压较低，适合在较低电压条件下运行。
　　其他关键特性包括：
　　- 高雪崩能力，增强了在过载条件下的耐用性。
　　- 符合 RoHS 标准，环保无铅。
　　- 具备出色的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
　　- 封装坚固，能够承受机械应力和焊接过程中的热冲击。
　　这些特性使 RP111L281D-TR 成为高效能电力电子设备的理想选择。

应用

RP111L281D-TR 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中，具体包括：
　　- 开关电源（SMPS）和 DC/DC 转换器。
　　- 电机驱动和逆变器模块。
　　- 电池管理系统（BMS）。
　　- 工业自动化和机器人控制。
　　- 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）和制动系统。
　　- 可再生能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电控制器。
　　其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合需要高效率和高功率密度的应用。