工作输入电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±2%
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流（IQ）：3.5μA（典型值）
　　关断电流：0.1μA（典型值）
　　压差电压（Dropout Voltage）：180mV @ 300mA
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz
　　输出噪声：30μVrms
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：DFN1x1-4

RP110N211D-TR-FE具备多项优异的电气特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其超低静态电流设计（仅3.5μA）特别适用于电池供电的物联网设备、可穿戴电子产品和无线传感器节点，能够显著降低待机功耗，延长电池寿命。在动态响应方面，该LDO采用了内部补偿机制，确保在负载电流快速变化时仍能维持输出电压的稳定，具备良好的瞬态响应能力。其高达70dB的电源抑制比（PSRR）意味着它能有效滤除来自输入电源的高频噪声和纹波，为后级敏感电路（如ADC、DAC、PLL等）提供纯净的供电环境，从而提升系统信号完整性。
　　另一个关键特性是其低输出噪声性能，仅为30μVrms，这对于音频放大器、精密测量仪器和射频接收前端等对噪声敏感的应用至关重要。同时，该器件在满载条件下仅需180mV的压差即可正常工作，允许在接近输出电压的输入条件下继续稳压，提高了电源利用效率，尤其适合使用单节锂电池供电的场景。此外，RP110N211D-TR-FE具备快速启动能力，在使能信号激活后可在几微秒内完成启动并进入稳压状态，满足系统快速唤醒的需求。
　　该LDO集成了全面的保护机制，包括热关断保护和短路电流限制，当芯片温度超过安全阈值或输出发生短路时，内部电路会自动切断输出以防止损坏。这些保护功能增强了系统的鲁棒性，减少了外部保护元件的需求，简化了整体设计。其DFN1x1-4封装不仅尺寸紧凑（1mm x 1mm），还具有优良的散热性能，适合高密度贴装。器件符合RoHS环保标准，并通过了IEC61000-4-2 ESD ±4kV接触放电认证，具备较强的抗干扰能力。总体而言，RP110N211D-TR-FE凭借其低功耗、高稳定性、小尺寸和高可靠性，成为现代低功耗嵌入式系统中理想的电源管理解决方案之一。

RP110N211D-TR-FE广泛应用于各类对电源噪声、功耗和空间有严格要求的消费类电子和工业设备中。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨管理，用于为实时时钟（RTC）、传感器中枢、NFC模块或蓝牙/Wi-Fi芯片提供稳定低压电源。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，其超低静态电流特性有助于最大限度地延长续航时间。此外，该器件也适用于物联网终端节点、无线传感网络和智能家居设备中的MCU或RF收发器供电。
　　在工业自动化领域，RP110N211D-TR-FE可用于为精密传感器信号调理电路、低功耗微控制器单元或隔离式通信接口提供干净的参考电压。其高PSRR和低噪声特性使其非常适合音频前置放大电路、麦克风偏置电源以及便携式医疗设备中的生物信号采集系统。在汽车电子中，尽管该器件未明确标定为车规级，但仍可用于部分车载信息娱乐系统的辅助电源或后排乘客设备供电，前提是工作温度在其规格范围内。
　　由于其小型化封装和无需外接补偿电容的设计，RP110N211D-TR-FE特别适合高度集成的模块化设计，例如Wi-Fi模组、GNSS接收模块和TinyML边缘计算设备。在电池管理系统（BMS）中，也可作为监控芯片的本地稳压源。此外，其宽输入电压范围支持多种电池类型（如锂离子、锂聚合物、碱性电池）供电系统，进一步扩展了其应用适应性。总而言之，该LDO适用于所有需要高效、安静且可靠电源的低功率电子系统。

RT9193-18GB
　　AP2112K-1.8
　　MIC5205-1.8YM5-TR
　　TPS78218DBVR
　　XC6206P18MR-G