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RP110N151D-TR-FE 发布时间 时间:2025/12/28 5:10:15 查看 阅读:55

RP110N151D-TR-FE是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)推出的N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造,专为高效率、高密度电源应用设计。该器件封装在小型DFN2020封装中,尺寸仅为2.0mm x 2.0mm,适合对空间要求极为严格的便携式电子设备。RP110N151D-TR-FE具有低导通电阻(RDS(on))、优异的热性能和高可靠性,广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电系统以及各类电源管理电路中。其额定电压为15V,最大连续漏极电流可达9.3A,能够满足现代低电压、大电流应用场景的需求。此外,该MOSFET符合RoHS环保标准,并具备良好的抗静电能力,增强了在实际使用中的稳定性和安全性。得益于Rohm在功率器件领域的深厚积累,RP110N151D-TR-FE在性能与封装小型化之间实现了良好平衡,是许多高性能电源设计的理想选择之一。

参数

型号:RP110N151D-TR-FE
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):15 V
  最大栅源电压(VGS):±8 V
  最大连续漏极电流(ID):9.3 A
  最大脉冲漏极电流(IDM):37 A
  导通电阻RDS(on)(典型值):6.3 mΩ @ VGS = 4.5 V
  导通电阻RDS(on)(最大值):8.2 mΩ @ VGS = 4.5 V
  导通电阻RDS(on)(典型值):8.5 mΩ @ VGS = 2.5 V
  阈值电压(Vth):0.5 V ~ 0.8 V
  输入电容(Ciss):550 pF @ VDS = 7.5 V
  输出电容(Coss):240 pF @ VDS = 7.5 V
  反向传输电容(Crss):50 pF @ VDS = 7.5 V
  栅极电荷(Qg):5.8 nC @ VGS = 4.5 V
  功耗(Ptot):1 W
  工作结温范围:-55 °C ~ +150 °C
  存储温度范围:-55 °C ~ +150 °C
  封装类型:DFN2020
  引脚数:6

特性

RP110N151D-TR-FE采用Rohm先进的Trench MOSFET工艺,具备极低的导通电阻,这使其在低电压大电流的应用中表现出色,显著降低了导通损耗,提升了整体电源转换效率。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为8.2mΩ(最大值),即使在VGS=2.5V的低压驱动条件下也能保持较低的导通电阻,适用于由逻辑信号直接驱动的场合,例如由微控制器或PMIC控制的负载开关电路。这种低阈值电压和低驱动电压下的优异性能,使得它能够在3.3V或更低系统电压下稳定工作,避免了额外电平转换电路的需求。
  该器件的封装为DFN2020(2.0mm×2.0mm),属于超小型无引脚封装,具有优良的散热性能和占板面积小的优点,非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品中。DFN封装底部带有裸露焊盘,可通过PCB上的热过孔有效将热量传导至地层,从而提高热稳定性并允许更高的持续电流输出。此外,该MOSFET的寄生参数经过优化,输入电容和反向传输电容较小,有助于减少开关过程中的能量损耗和噪声干扰,提升高频开关应用的响应速度和稳定性。
  RP110N151D-TR-FE还具备出色的可靠性和耐用性,通过了AEC-Q101车规级认证,表明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下的性能表现稳定,可用于车载电子系统中的电源管理模块。同时,其ESD耐受能力较高,HBM模式下可达±2000V,提升了器件在生产装配和现场使用过程中的抗干扰能力。综合来看,这款MOSFET在性能、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡,是现代高效能、小型化电源设计中不可或缺的关键元件之一。

应用

RP110N151D-TR-FE广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的各类电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关,如智能手机和平板电脑的显示屏电源控制、摄像头模块供电管理等,利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效的电源通断控制,降低待机功耗。此外,它也常用于同步降压(Buck)转换器的下管(Low-side MOSFET),配合控制器实现高效率DC-DC电压转换,适用于CPU核心供电、内存电源等低压大电流场景。由于其支持逻辑电平驱动,因此在由微控制器直接控制的电源路径中表现出色,例如在USB电源开关、电池充电路径切换、热插拔控制电路中均有广泛应用。工业控制设备中的传感器供电模块、低功耗物联网节点以及可穿戴设备的电源管理系统也是其典型应用场景。得益于其通过AEC-Q101认证,该器件还可用于汽车电子系统,如车身控制模块、信息娱乐系统电源、LED照明驱动等对可靠性和温度范围要求较高的领域。总之,任何需要在有限空间内实现高效、低损耗功率开关功能的设计,都可以考虑采用RP110N151D-TR-FE作为核心开关元件。

替代型号

DMG1015UFG-7
  AO1101A

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RP110N151D-TR-FE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.83285卷带(TR)
  • 系列RP110x
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 输出配置
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)5.25V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)1.5V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.8V @ 150mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)2 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR-
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装SOT-23-5