时间：2025/5/8 0:51:16
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RP104N331D-TR-FE 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种电源管理、负载开关和保护电路等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。其封装形式为 SOT-23 封装，适合用于对空间要求较高的设计。
型号：RP104N331D-TR-FE
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
漏源极电压(Vds)：30V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.9A（Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：85mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
总功耗(Ptot)：400mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg)：3nC（典型值）
切换频率：支持高频应用
RP104N331D-TR-FE 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻 Rds(on)，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，使得该器件在高频开关应用中表现出色。
3. 小型化封装 SOT-23 提供了更高的布局灵活性，特别适合于便携式设备和空间受限的设计。
4. 高可靠性设计，能够承受较高的漏源极电压和瞬态电压冲击。
5. 广泛的工作温度范围，确保其在恶劣环境下的稳定性。
6. 栅极驱动电压兼容性良好，适用于 3.3V 和 5V 的逻辑电平控制。
RP104N331D-TR-FE 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和负载开关。
2. 手机和平板电脑中的电池保护电路。
3. LED 驱动器中的调光控制。
4. 各种消费类电子产品中的信号切换。
5. 工业自动化中的电机驱动和继电器替代。
6. 数据通信设备中的过流和短路保护。
RP104N330D-TR-FE, BSS138, FDN340P
