时间：2025/5/15 14:24:24
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RP103K281D-TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，广泛应用于各种功率转换和控制电路中。
RP103K281D-TR 使用了 TO-252 (DPAK) 封装形式，使其非常适合空间受限的应用场景。这种封装形式具备良好的散热特性和电气性能，同时易于自动化装配，提高了生产效率。
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：1.2W
结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
RP103K281D-TR 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 具有较高的雪崩能量耐量，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
5. 采用 TO-252 (DPAK) 封装，具备优异的散热性能，能够有效减少热量积聚。
6. 宽泛的工作温度范围，确保其在极端环境下的稳定运行。
RP103K281D-TR 广泛用于多种功率电子领域，具体应用如下：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和功率因数校正（PFC）。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载开关和保护电路设计。
4. LED 照明驱动器中的功率管理。
5. 各种电池管理系统的充放电控制。
6. 电信和消费类电子产品中的 DC-DC 转换器模块。
IRLZ44N, FDP5580, AO3400
