时间：2025/6/11 12:58:22
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RP100N181D-TR-F 是一款基于硅材料的高压大功率 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，主要应用于工业、汽车和能源转换领域。该芯片采用先进的沟槽场截止技术（Trench Field Stop Technology），具备低导通损耗和开关损耗的特点，从而提高了整体效率。其封装形式为 TO-247，适合高电流和高电压场景下的应用。
集电极-发射极击穿电压：1800V
额定电流：100A
最大功耗：350W
栅极-发射极阈值电压：12V
导通压降（Vce(sat)）：2.5V
开关频率范围：高达 20kHz
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
RP100N181D-TR-F 的主要特点是其高耐压能力以及高效的功率转换性能。
1. 高击穿电压设计（1800V）确保了该器件在高压系统中的稳定性与可靠性。
2. 沟槽场截止技术有效降低了开关损耗和导通损耗，使得效率更高。
3. 内置快速恢复二极管进一步优化了动态性能，特别适用于高频开关电路。
4. 超宽的工作结温范围（-55℃ 至 +175℃）使其能够在极端环境下稳定运行。
5. 强大的散热能力和鲁棒性设计保证了长期使用中的可靠性和耐用性。
RP100N181D-TR-F 主要用于需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
1. 工业电机驱动和变频器。
2. 新能源发电系统，例如风能和太阳能逆变器。
3. 电动汽车和混合动力汽车的电力电子模块。
4. 高压直流输电系统中的功率调节装置。
5. 不间断电源（UPS）和电池储能系统。
6. 焊接设备和感应加热装置。
RP100N181D-TR-E, RP100N181D-SF-E, IRGB140D180KFPBF
