型号：ROS-95-2+
　　工作频率范围：DC ~ 4 GHz
　　插入损耗：≤ 1.0 dB
　　隔离度：≥ 45 dB @ 1 GHz
　　输入IP3：+65 dBm
　　P1dB压缩点：+30 dBm
　　控制电压：0/+5 V（TTL兼容）
　　切换时间：≤ 10 ns
　　封装类型：SMD
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　VSWR：≤ 1.5:1
　　供电电压：+5 V DC
　　静态电流：≤ 5 mA

ROS-95-2+ 作为一款高性能的 GaAs MMIC 基础 SPDT 射频开关，具备多项关键优势，使其在现代射频系统中广受欢迎。首先，其宽频带特性覆盖从直流到 4 GHz 的频率范围，支持包括 L 波段、S 波段以及部分 C 波段在内的广泛应用场景，非常适合用于多频段通信系统中的天线切换、收发开关或滤波器选择路径控制。该器件采用吸收式设计，意味着未选通端口被内部匹配至 50 欧姆终端，从而显著降低信号反射，提升系统的整体匹配性能，避免因开路或短路终端引起的驻波问题。
　　其次，ROS-95-2+ 实现了极低的插入损耗（典型值低于 1.0 dB），这对于保持射频链路的信噪比和增益预算至关重要，尤其在低功率接收前端中可以最大限度地减少信号衰减。同时，其在 1 GHz 频率下可提供超过 45 dB 的高隔离度，有效防止不同通道之间的串扰，确保信号完整性。这种高隔离性能对于双工器替代方案或多路复用架构尤为关键。
　　再者，该开关具备优异的线性性能，输入三阶交调截点（IP3）高达 +65 dBm，表明其在强信号环境下仍能保持良好的无杂散动态范围（SFDR），适用于高线性度要求的发射链路或宽带接收机前端。此外，它能承受高达 +30 dBm 的输入功率，具备较强的功率耐受能力，适合中等功率发射路径中的开关应用。
　　控制方面，ROS-95-2+ 支持 0/+5 V 的 TTL 兼容逻辑电平，可直接与微控制器、FPGA 或其他数字逻辑电路连接，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。其快速切换时间（≤10 ns）使得该器件可用于高速跳频、脉冲调制或雷达波束成形等对时序精度要求较高的场景。
　　最后，该器件采用小型表面贴装封装（SMD），尺寸紧凑，有利于高密度 PCB 布局，并具备良好的热稳定性和可靠性，可在 -40°C 至 +85°C 的工业温度范围内稳定运行。其符合 RoHS 标准，适用于全球范围内的环保合规设计。综合来看，ROS-95-2+ 凭借其宽带宽、低损耗、高隔离、高线性及易驱动等特性，成为射频系统设计中理想的 SPDT 开关解决方案。

ROS-95-2+ 广泛应用于各类需要高频信号路径切换的电子系统中。常见用途包括无线通信基础设施中的天线切换模块，用于在多个天线之间进行快速切换以实现分集接收或波束扫描；在软件定义无线电（SDR）平台中，作为可重构射频前端的关键组件，实现不同频段或模式之间的动态切换；在自动测试设备（ATE）和矢量网络分析仪等精密测量仪器中，用于构建多端口射频开关矩阵，提升测试效率和灵活性。
　　此外，该器件也常用于雷达和电子战系统中，作为发射/接收（T/R）模块的一部分，执行快速的收发状态切换；在卫星通信地面站设备中，用于选择不同的上变频或下变频路径；也可应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，如 RFID 读写器、无线传感器网络节点等，实现信号路径优化。由于其高功率耐受能力和良好线性度，ROS-95-2+ 还可用于中等功率发射链路中的冗余切换或故障旁路设计。总之，任何需要在 4 GHz 以下频率范围内实现高速、高可靠性和高性能射频信号路由的场景，都是 ROS-95-2+ 的理想应用领域。

ZASWA-2-50DR+
　　ZFSWA-2-50DR+
　　HSWA-2-50DR+
　　ASM121-S-217+