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ROS-900PV 发布时间 时间:2025/12/28 13:20:00 查看 阅读:11

ROS-900PV 是一款由 RFPD(RF Power Devices)制造的射频功率晶体管,专为高频功率放大应用设计。这款晶体管采用了先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,使其在高频下能够提供高效率和高功率输出。ROS-900PV主要适用于UHF(超高频)和VHF(甚高频)频段的广播、通信和工业应用,如FM广播发射机、电视发射机和无线基础设施设备。

参数

类型:LDMOS射频功率晶体管
  工作频率:最高可达1GHz
  最大输出功率:900W(典型值)
  工作电压:50V
  增益:约20dB(典型值)
  效率:超过70%
  封装形式:大功率金属陶瓷封装
  热阻:约0.15°C/W
  工作温度范围:-65°C至+150°C

特性

ROS-900PV晶体管具备出色的线性度和稳定性,能够在高功率条件下保持较低的失真。该器件采用先进的热管理设计,具有较低的热阻,使其在高功率运行时仍能保持良好的散热性能。此外,ROS-900PV在宽频率范围内具有良好的匹配特性,简化了外部匹配网络的设计,降低了系统复杂度。其高可靠性和长寿命使其非常适合用于关键任务通信系统和高功率广播设备。

应用

ROS-900PV广泛应用于广播发射机(如FM和TV发射机)、无线基础设施设备(如基站和中继器)、工业加热设备以及测试和测量仪器中的高功率射频放大器部分。其高效率和高输出功率特性使其成为设计高性能射频功率放大器的理想选择。

替代型号

NXP BLF888B、STMicroelectronics LDMOS晶体管、Cree/Wolfspeed GaN晶体管(如CGH40010F)

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