制造商：Mini-Circuits
　　器件类型：射频开关
　　开关配置：SPDT（单刀双掷）
　　工作频率范围：DC ~ 4 GHz
　　插入损耗：典型值 0.7 dB @ 2 GHz
　　隔离度：典型值 45 dB @ 2 GHz
　　切换时间（开启/关闭）：≤ 25 ns
　　输入P1dB压缩点：+34 dBm
　　三阶交调截点（IP3）：+68 dBm
　　控制电压：TTL/CMOS 兼容（0/+5V）
　　供电电压：+5 V DC
　　电流消耗：典型值 12 mA
　　封装类型：SMD，MSOP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装尺寸：约 3 mm x 3 mm

ROS-368-119+ 采用先进的GaAs pHEMT（假型高电子迁移率晶体管）技术实现开关功能，这种技术使得器件在高频下依然保持极低的插入损耗和优异的线性度。其核心优势之一是宽带性能，覆盖从直流到4GHz的广泛频率范围，使其能够应用于多种无线通信标准，包括GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi以及部分毫米波前段系统。在信号路径选择方面，该开关提供了卓越的信号保真度，插入损耗低于0.7dB，在2GHz时几乎不会引入明显的信号衰减，这对于维持接收链路灵敏度至关重要。
　　另一个关键特性是高隔离度，典型值达到45dB@2GHz，这意味着当开关处于某一状态时，另一条未选通的支路会被有效抑制，防止信号串扰或回波干扰，特别适用于需要多通道切换或多天线系统的应用场景，例如MIMO测试平台或射频前端模块。此外，快速切换时间（小于25ns）允许在高速扫描或多工系统中实现实时路径切换，显著提升系统响应速度和吞吐量。
　　该器件还具备强大的功率处理能力，输入P1dB高达+34dBm，意味着它可以承受较高功率的射频信号而不发生非线性失真或损坏，适合用于发射链路中的天线切换或滤波器组切换。同时，极高的三阶交调截点（IP3为+68dBm）表明其在多音信号环境下仍能保持良好线性，避免产生有害的互调产物，满足高标准通信系统的动态范围需求。
　　TTL/CMOS兼容的控制接口极大简化了与数字控制单元的集成过程，仅需一个GPIO即可完成开关状态切换，降低了系统设计复杂性。此外，小型化的SMD封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适合在便携式设备或车载系统中部署。整体而言，ROS-368-119+ 在性能、可靠性和易用性之间实现了优秀平衡，是一款适用于中高端射频系统的理想SPDT开关解决方案。

ROS-368-119+ 广泛应用于各类高性能射频与微波系统中，尤其适合需要宽带、低损耗和高隔离度切换功能的场合。在自动测试设备（ATE）中，它常被用于构建多通道信号路由网络，实现待测器件（DUT）与矢量网络分析仪（VNA）、信号发生器或频谱仪之间的快速、精确连接切换，从而提高测试效率并减少外部手动干预。
　　在无线通信基础设施领域，该器件可用于基站收发信台（BTS）中的天线切换模块、双工器旁路路径控制或冗余通道切换，确保系统在故障或维护状态下仍能维持通信连续性。在软件定义无线电（SDR）平台中，ROS-368-119+ 可作为前端射频链路的选择开关，实现不同频段或模式间的动态切换，支持灵活的频谱接入策略。
　　此外，在雷达与电子战系统中，该开关可用于TR（发射/接收）模块中的保护电路或波束成形网络中的路径选择单元，利用其快速响应能力和高功率耐受性保障系统在突发信号环境下的稳定性。科研实验装置如量子计算控制系统、超导腔体调谐系统也常采用此类高性能开关进行微波信号路径管理。
　　由于其工业级温度范围和可靠的SMD封装，ROS-368-119+ 同样适用于航空航天、车载通信和便携式军用设备等严苛环境下的射频子系统设计。总之，凡涉及高频信号切换且对性能指标有严格要求的应用场景，ROS-368-119+ 都是一个值得信赖的核心元器件选择。

ZASWA-2-50DR+
　　HMC348LC4TR