类型：吸收式射频开关
　　工作频率范围：10 MHz 至 2.5 GHz
　　插入损耗：典型值0.35 dB（最大0.5 dB）
　　隔离度：最小35 dB @ 10 MHz至2.0 GHz
　　VSWR：输入端口典型值1.25:1，输出端口典型值1.35:1
　　切换时间：典型值50 ns
　　功率处理能力：最大输入功率+30 dBm
　　供电电压：+5V 和 -5V 双电源供电
　　控制电压：TTL/CMOS兼容控制信号
　　封装类型：8引脚表面贴装封装（SMD）

ROS-2170-13+ 是一款高性能射频开关，专为高频应用设计。其工作频率范围覆盖10 MHz至2.5 GHz，能够满足多种无线通信标准和测试设备的需求。该开关采用吸收式设计，使得在未选通端口上具有良好的匹配性能，从而减少信号反射和干扰。插入损耗较低，典型值为0.35 dB，最大不超过0.5 dB，有助于保持信号完整性。此外，其隔离度在10 MHz至2.0 GHz范围内达到35 dB以上，有效隔离非选通路径的信号泄露。
　　该器件的电压驻波比（VSWR）表现优异，输入端口典型值为1.25:1，输出端口为1.35:1，确保了在宽频带内的良好阻抗匹配。切换时间短，典型值为50 ns，适合需要快速切换的应用。ROS-2170-13+ 支持高达+30 dBm的最大输入功率，具备较强的功率处理能力，适用于多种射频系统环境。
　　

ROS-2170-13+ 主要应用于需要高性能射频切换的场景。其典型应用包括通信系统中的天线切换、多路复用器控制和信号路径选择。在测试测量设备中，该开关可用于自动化测试系统中的信号路由，提高测试效率和精度。此外，ROS-2170-13+ 也适用于雷达系统和无线基础设施，如基站和中继站中的射频信号管理。由于其高隔离度和低插入损耗，该开关还可用于射频前端模块、频谱分析仪和信号发生器等高端设备。

HMC649A , PE4259 , ADG904