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ROS-1900V+ 发布时间 时间:2025/12/28 14:14:08 查看 阅读:17

ROS-1900V+ 是一款由 Mini-Circuits 公司制造的射频(RF)开关芯片,广泛用于射频和微波测试设备、通信系统以及其他需要高频信号路由的应用。该芯片属于吸收式射频开关,工作频率范围为 10 MHz 至 20 GHz。ROS-1900V+ 采用 GaAs(砷化镓)半导体技术,具备低插入损耗、高隔离度和快速开关速度的特性。它是一款单刀双掷(SPDT)开关,适用于需要高可靠性和高性能的射频电路设计。

参数

工作频率范围:10 MHz - 20 GHz
  插入损耗:典型值 0.5 dB(最大 0.8 dB)
  隔离度:45 dB @ 1 GHz,随频率增加逐渐降低至约 25 dB @ 20 GHz
  回波损耗:20 dB @ 1 GHz,随频率变化
  开关时间:上升时间 2 ns,下降时间 2 ns
  输入功率容量:30 dBm
  工作电压:+5V 和 -5V 双电源供电
  封装形式:8引脚 SOT-26 表面贴装封装
  工作温度范围:-55°C 至 +105°C

特性

ROS-1900V+ 是一款高性能的 GaAs SPDT 射频开关,适用于从低频到 20 GHz 的广泛频段。其插入损耗非常低,在 20 GHz 下仍保持在 0.8 dB 以内,确保信号传输的高效性。该器件的隔离度在较低频率下可达到 45 dB,并在高频下仍保持良好性能,有助于防止信号路径之间的串扰。此外,ROS-1900V+ 具有极快的开关时间,典型值为 2 ns,适用于需要高速切换的应用,如雷达系统和测试仪器。
  该芯片采用双电源供电方式(+5V 和 -5V),以确保稳定的开关性能和较低的直流功耗。由于其 SOT-26 小型封装,ROS-1900V+ 非常适合高密度 PCB 设计。它具有良好的温度稳定性,可在 -55°C 至 +105°C 的宽温度范围内工作,适用于工业和军事环境。
  该开关为吸收式设计,意味着在非选通路径中具有良好的匹配性能,从而减少反射和干扰。这种特性使其特别适合用于需要高精度测量的测试设备和多路复用器系统中。此外,ROS-1900V+ 的输入功率耐受能力可达 30 dBm,适用于中等功率射频系统。

应用

ROS-1900V+ 主要用于需要在高频下进行信号切换的系统中。它广泛应用于通信基础设施,如基站和无线回传系统,用于天线切换或信号路径选择。此外,该器件也常用于射频测试和测量设备,如网络分析仪和频谱分析仪,用于构建多路复用测试系统。在雷达和电子战系统中,ROS-1900V+ 可用于快速切换不同天线或信号路径,提高系统的响应速度和灵活性。此外,它也适用于卫星通信、微波点对点链路以及工业自动化中的射频信号管理。

替代型号

HMC241QS16G, PE42442, RF1218, ADG918

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