型号：ROS-1435PV+
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：8.5A
　　脉冲漏极电流(IDM)：30A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 1.8V
　　输入电容(Ciss)：470pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：160pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：15ns
　　最大功耗(PD)：1.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN1212(双侧冷却)
　　安装类型：表面贴装(SMT)

ROS-1435PV+ 具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为11mΩ，在VGS=4.5V时也仅15mΩ，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，特别适用于大电流、低电压输出的同步整流应用。器件采用ROHM专有的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，有效减少了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而实现了高速开关操作的同时保持较低的动态损耗。
　　该MOSFET的输入电容Ciss为470pF，输出电容Coss为160pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关响应速度。反向恢复时间trr仅为15ns，说明体二极管具有较快的恢复能力，能够有效抑制因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升系统稳定性。此外，器件支持高达±20V的栅源电压，增强了对栅极驱动信号波动的容忍度，防止误触发或损坏。
　　ROS-1435PV+ 采用DFN1212小型封装，尺寸紧凑（约1.2mm × 1.2mm），适合高密度PCB布局，并支持双侧散热设计，即通过顶部和底部同时进行热传导，极大提升了散热效率，即使在有限空间内也能实现良好的热管理。该封装还具备低热阻特性，典型值约为83°C/W（结到环境），确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的严苛温度要求。
　　器件符合AEC-Q101车规认证标准，表明其在可靠性、耐久性和环境适应性方面达到了汽车电子系统的高标准，可用于车载电源系统、LED驱动模块及电池管理系统等关键部位。同时，产品无卤素且符合RoHS指令，支持环保生产工艺。内置的保护机制包括过温保护裕量和一定的雪崩能量承受能力，使其在突发负载变化或短路情况下仍具有较高的鲁棒性。总体而言，ROS-1435PV+ 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，兼顾效率、尺寸与可靠性，适用于现代高效能电源系统的设计需求。

ROS-1435PV+ 主要应用于需要高效、小尺寸功率开关的场合。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC降压变换器和升压变换器，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备的电源管理单元；在这些设备中，它常作为同步整流MOSFET，替代传统的肖特基二极管以降低导通压降和发热。此外，该器件广泛用于锂电池充电回路和放电保护电路中，作为充放电通路的主控开关，利用其低RDS(on)减少能量损失，延长电池续航时间。
　　在工业控制领域，ROS-1435PV+ 可用于各类负载开关、热插拔控制器和电机驱动电路中的低端开关元件。由于其快速开关能力和良好热性能，也适用于LED照明驱动电路，特别是在需要恒流控制的小功率LED背光或指示灯应用中表现优异。在通信设备和网络终端设备中，该MOSFET可用于多相供电架构中的功率级，配合控制器实现高效的电压调节模块（VRM）。
　　得益于其通过AEC-Q101认证，ROS-1435PV+ 还被广泛应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电模块、车内照明控制以及电池管理系统（BMS）中的电池均衡开关。此外，在无人机、电动工具和智能家居设备等新兴领域，该器件凭借其高效率和小封装优势，成为设计师优选的功率开关解决方案。无论是用于脉宽调制（PWM）控制还是简单的通断操作，ROS-1435PV+ 均能提供稳定可靠的性能表现。

SML1435FN,RSA014N03,DMG1435U