时间：2025/5/23 0:06:08
阅读：2
RMTMK063CG8R2BT-F 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，专为高频、高效率的应用场景设计。它集成了增强型 GaN FET 和驱动器电路，能够显著提升开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动系统的性能。
该芯片采用先进的封装工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，同时支持高达 200V 的工作电压，适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品的电源管理领域。
最大工作电压：200V
导通电阻：40mΩ
连续漏极电流：8A
开关频率：5MHz
栅极电荷：10nC
封装类型：QFN-8
工作温度范围：-40℃ to +125℃
RMTMK063CG8R2BT-F 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓晶体管技术，能够实现更低的开关损耗和更高的工作效率。
2. 内置驱动器优化了与外部控制器的配合，简化了设计复杂度。
3. 极低的寄生电感和热阻，确保了芯片在高频条件下的稳定性。
4. 提供全面的保护功能，例如过流保护、短路保护和过温关断等。
5. 小型化的 QFN-8 封装，非常适合对空间要求严格的紧凑型应用。
6. 支持宽范围的工作温度，保证了其在恶劣环境下的可靠性。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关元件。
2. 各种 DC-DC 转换器中的功率级器件。
3. 快速充电器及适配器的核心组件。
4. 工业用逆变器和电机驱动系统。
5. LED 照明驱动电路中的高频功率开关。
6. 通信基站和其他高功率密度场合的电源模块。
RMTMK063CG8R1BT-F, RMTMK063DG8R2BT-F
