工作频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为 30 dBm（在 2.6 GHz 下）
　　增益：20 dB 典型值
　　电源电压：+5V 至 +12V 可调
　　电流消耗：典型值为 1.2A（在 +12V 电源下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT），如 20 引脚 QFN 或 24 引脚 TSSOP
　　阻抗匹配：50Ω 输入和输出
　　线性度：支持高线性度操作，满足 5G NR 等复杂调制信号的要求
　　热保护：内置过热保护功能

RMPA1759 作为一款高性能射频功率放大器，具备多项出色的特性。首先，它在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的宽频率范围内提供稳定的放大性能，适用于多种无线通信标准，包括 LTE 和 5G NR。其高增益特性（20 dB 典型值）使其能够在信号链中提供足够的功率提升，从而减少对额外放大级的需求，简化系统设计。
　　该芯片支持可变电源电压范围（+5V 至 +12V），使得设计人员可以根据应用需求优化功耗和性能。在 +12V 电源供电下，RMPA1759 可提供高达 30 dBm 的输出功率，适用于中高功率的射频发射应用。此外，其高线性度特性能够有效减少信号失真，确保在复杂调制格式（如 OFDM）下保持良好的信号完整性。
　　RMPA1759 还具备良好的热稳定性，内置过热保护功能，可在高温环境下安全运行。其 50Ω 输入和输出阻抗匹配设计简化了与射频前端模块和天线之间的连接，减少了外部元件的需求，提高了系统的可靠性和集成度。此外，该器件采用表面贴装封装（如 QFN 或 TSSOP），适用于自动化装配工艺，降低了生产成本并提高了生产效率。
　　综合来看，RMPA1759 凭借其宽频率范围、高输出功率、高线性度和集成度，是一款适用于现代无线通信系统的关键射频放大器芯片。

RMPA1759 主要应用于无线通信基础设施领域，包括 4G LTE 和 5G NR 基站、小型蜂窝基站（Small Cells）、无线回传系统（如微波链路）、Wi-Fi 6 和 Wi-Fi 6E 接入点、工业物联网（IIoT）设备以及高性能射频测试设备等。其高线性度和宽频率范围使其非常适合用于需要处理复杂调制信号的系统，如 OFDM 和 MIMO 技术。此外，RMPA1759 也适用于各种射频功率放大需求的军事通信、航空航天和工业控制应用。

RMPA1759-DIE, RMPA1759-FR