类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大漏极电流(Id)：70A
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：典型值140nC
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　最大功耗(Pd)：300W

RM70P30DF 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，从而提高了器件的耐压能力和稳定性。
　　另一个重要特性是其优异的热管理性能。RM70P30DF 采用高热导率材料和优化的封装设计，使得热量能够迅速散发，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作状态，延长使用寿命。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，支持高达70A的连续漏极电流，适用于需要大电流输出的电源系统，如服务器电源、工业电源、电池充电器等。同时，其高栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高转换效率。
　　此外，RM70P30DF 还具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在异常工况下提供更高的可靠性。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。

RM70P30DF 主要应用于需要高效率、高功率密度的电源系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以用于同步整流或主开关器件，提高整体转换效率并降低系统损耗。在电机控制应用中，RM70P30DF 可用于H桥驱动电路，提供高效的电机驱动能力，适用于电动车、工业机器人和自动化设备等。
　　此外，该器件也广泛用于服务器和通信设备的电源系统中，作为高效电源转换的核心元件。在电池管理系统（BMS）中，RM70P30DF 可用于电池充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。
　　由于其优异的热性能和可靠性，RM70P30DF 也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等，满足汽车电子对高可靠性和高性能的严格要求。

R6035KNZ、SiHF70N30E