型号：RM60CZ-H
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：48A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：17mΩ
　　最大导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：22mΩ
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：400pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　最大功耗（Ptot）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini

RM60CZ-H具备出色的导通性能和开关响应能力，其核心优势在于低导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)典型值仅为17mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其特别适用于大电流应用场景，如DC-DC降压变换器中的下管同步整流，能够有效减少发热，提升电源转换效率。同时，在4.5V栅极驱动电压下，其RDS(on)仍保持在22mΩ以内，表明该器件对低压驱动信号具有良好的响应能力，支持现代低电压控制系统的需求，兼容多种PWM控制器输出。
　　该MOSFET采用了Rohm独有的沟槽栅结构设计，优化了载流子迁移路径，减小了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系（RDS(on) × Qg），从而实现了高速开关与低损耗的平衡。其输入电容（Ciss）为1300pF，输出电容（Coss）为400pF，在同类产品中处于较低水平，有助于降低驱动电路的负担，减少开关延迟和能量损耗。此外，其反向恢复时间（trr）仅为25ns，意味着体二极管的恢复速度较快，减少了在桥式或同步整流拓扑中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统稳定性。
　　热性能方面，RM60CZ-H采用高导热封装材料和优化的芯片布局，确保热量能够快速从芯片传导至PCB，结合S-Mini封装的小型化特点，在有限空间内仍可实现良好的散热效果。器件的最大工作结温可达+150°C，支持高温环境下持续运行，增强了其在严苛工况下的可靠性。内置的保护机制包括过温保护和雪崩耐受能力，进一步提升了其鲁棒性。此外，该器件具有良好的抗噪声能力和栅极氧化层可靠性，避免因电压瞬变或静电放电导致损坏，适用于车载电子、工业控制等对稳定性要求较高的领域。
　　总体而言，RM60CZ-H以其高性能、小体积和高可靠性，成为中小功率电源系统中理想的功率开关选择，尤其适合追求高效率和小型化的现代电子设计需求。

RM60CZ-H广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）拓扑中作为低边开关使用，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率。它也适用于电池供电设备中的负载开关，用于控制电源通断，防止待机功耗过大，延长续航时间。此外，在电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥或半桥结构中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，实现正反转和调速功能。
　　在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源中，RM60CZ-H常被用于电源管理单元（PMU）或充电管理模块中，承担电压调节和电流切换任务。其小型S-Mini封装非常适合高密度PCB布局，有助于缩小整机体积。在LED驱动电路中，该器件可用于恒流控制或开关调光，提供稳定光源输出。工业控制领域中，RM60CZ-H可用于PLC模块、传感器供电、继电器驱动等场合，实现远程控制和电源隔离。
　　此外，该MOSFET还适用于AC-DC适配器、USB PD快充模块、无线充电发射端、无人机电源系统以及智能家居设备中的电源转换环节。由于其良好的温度特性和可靠性，也可用于部分车载电子系统，如车灯控制、车载充电器等非主驱应用。总之，凡是在60V以下电压范围、需要高效、小型化功率开关的场景，RM60CZ-H均是一个可靠的选择。

RN2005XH
　　RN2004XH
　　DMG2305U
　　SI2305DDS