型号：RM40TNA-H
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：520V
　　最大漏极电流（ID）：38A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：152A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值，VGS=10V，ID=19A）
　　栅极阈值电压（Vth）：4.0V～5.5V（ID=1mA）
　　输入电容（Ciss）：3700pF（VDS=400V，VGS=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：880pF
　　反向传输电容（Crss）：100pF
　　最大功耗（PD）：200W（TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220F
　　安装类型：通孔（Through-Hole）

RM40TNA-H具备出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在实际应用中，特别是在高频率开关环境下，该MOSFET表现出较低的开关损耗，有助于提升电源系统的能效表现。器件的高耐压能力（520V）使其能够安全应用于多种高压场景，如AC-DC电源适配器、工业电源模块以及光伏逆变器等。
　　该MOSFET采用ROHM成熟的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，进一步提升了器件的电流处理能力和可靠性。同时，其较大的安全工作区（SOA）确保了在瞬态负载或短路情况下仍能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还通过外露散热片实现了高效的热量传导，有利于在高功率密度设计中进行有效的热管理。
　　RM40TNA-H的栅极驱动特性经过优化，具有较低的输入电容和适中的阈值电压，使得它既能与标准驱动IC良好匹配，又可减少驱动电路的功耗。此外，器件内部集成了快速恢复体二极管，支持反向电流续流，在桥式电路和电机驱动中表现出良好的反向恢复特性，减少了电磁干扰（EMI）风险。
　　在可靠性方面，RM40TNA-H通过了严格的生产测试流程，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，确保长期使用中的稳定性和寿命。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在意外过压事件中提供一定程度的自我保护，适用于对安全性和可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。

RM40TNA-H适用于多种高功率开关应用，尤其在需要高效能和高可靠性的电源系统中表现突出。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块，其中其低导通电阻和高耐压特性有助于提高转换效率并减小散热器尺寸。
　　在DC-DC转换器中，特别是升压（Boost）、降压（Buck）和半桥拓扑结构中，RM40TNA-H能够有效降低导通损耗，提升整体能效。此外，该器件也常用于逆变器系统，如太阳能逆变器和UPS不间断电源，其高电压额定值和强健的结构设计使其能够在恶劣工作条件下稳定运行。
　　在电机驱动领域，RM40TNA-H可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制。其良好的热性能和过载承受能力使其适合长时间运行的工业自动化设备。
　　此外，该MOSFET还可用于照明电源，如LED驱动电源，尤其是在高功率LED应用中，能够实现稳定的恒流输出和高效的能量转换。由于其符合环保标准且具备良好的长期稳定性，RM40TNA-H也被广泛应用于家电、医疗设备和汽车辅助电源系统中。

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　　 "RHRU40120",
　　 "2SK3569",
　　 "2SK3570",
　　 "STP36NF50",
　　 "IRFGB40"
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