RM31TR-C(31) 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的晶体管阵列产品,属于双极性晶体管(BJT)类型。这款晶体管阵列主要用于需要多个晶体管集成在单一封装中的应用场合,以减少电路板空间并简化设计。RM31TR-C(31) 的封装形式为SIP(单列直插式封装),具有良好的电气性能和稳定性,适合在各种电子设备中使用。
类型:晶体管阵列
晶体管类型:NPN
配置:4个独立晶体管
集电极-发射极电压(Vce):50V
集电极-基极电压(Vcb):50V
发射极-基极电压(Veb):5V
最大集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SIP7
RM31TR-C(31) 晶体管阵列具备多项优良特性,适用于多种电子电路设计。首先,该器件集成了四个独立的 NPN 晶体管,能够在单一封装中实现多个晶体管功能,从而节省电路板空间并简化布线设计。这种集成化设计特别适合高密度 PCB 布局的应用场景。
其次,RM31TR-C(31) 的最大集电极-发射极电压为 50V,集电极电流可达 100mA,具备较高的电气性能和稳定性,适用于中等功率的开关和放大应用。该器件的功耗为 300mW,在工作过程中能够保持较低的热量积累,从而提高整体系统的可靠性。
RM31TR-C(31) 晶体管阵列广泛应用于多个领域。在工业自动化控制中,该器件可用于驱动继电器、LED 显示器和小型电机等负载,实现高效的开关控制。在通信设备中,RM31TR-C(31) 可用于信号放大和电平转换,确保数据传输的稳定性。
2SC3199, 2N3904