型号：RM250UZ-2H
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：SiC肖特基势垒二极管
　　反向重复峰值电压（VRRM）：1700V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：25A
　　正向压降（VF）：典型值1.7V（在IF=25A, Tj=25°C条件下）
　　最大结温（Tj）：185°C
　　反向漏电流（IR）：典型值100μA（在VR=1700V, Tj=25°C）
　　浪涌正向电流（IFSM）：600A（半正弦波，单脉冲）
　　热阻（Rth(j-c)）：约1.0°C/W
　　封装类型：TO-247-2L
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）
　　工作结温范围：-55°C 至 +185°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +185°C
　　是否符合RoHS：是

RM250UZ-2H作为一款基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒二极管，具备多项优于传统硅基二极管的关键特性。首先，其最突出的优势在于几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流和相关的能量损耗。这一特性极大地降低了开关过程中的动态损耗，提高了电源系统的整体转换效率，尤其是在硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）、DC-DC变换器和逆变器中表现尤为明显。此外，由于没有反向恢复现象，还能有效减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而简化了滤波电路的设计并提升了系统的电磁兼容性。
　　其次，RM250UZ-2H具有较低的正向导通压降（VF），即使在大电流工作条件下也能保持较小的导通损耗。例如，在25A电流下，典型VF仅为1.7V左右，显著低于同等规格的硅快恢复二极管。这不仅有助于提升能效，还减少了散热需求，使得系统可以采用更紧凑的散热设计，进而实现小型化和轻量化的目标。同时，该器件可在高达185°C的结温下安全运行，表现出优异的热稳定性和长期可靠性，适合在高温恶劣环境中使用。
　　再者，该器件采用了TO-247-2L封装，具备良好的热传导能力和机械稳定性，便于与散热器配合使用，确保长时间高负载运行下的热管理有效性。其1700V的高耐压能力使其适用于中高压应用场合，如工业变频器、光伏逆变器和EV充电桩等。此外，SiC材料本身的宽带隙特性赋予了该器件极低的漏电流，在高温和高电压条件下仍能保持稳定的电气性能，避免因漏电增加而导致的热失控风险。综合来看，RM250UZ-2H凭借其高效的导通特性、卓越的开关性能和高可靠性，成为现代高功率电源系统中理想的续流或整流元件。

RM250UZ-2H因其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多种高性能电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关模式电源（SMPS）中的输出整流级或PFC升压二极管，能够显著提高电源效率并减少发热问题。在太阳能发电系统中，该器件被用于光伏逆变器的直流侧整流或旁路功能，利用其无反向恢复特性和高耐压能力来提升逆变器的整体效率和响应速度，尤其在高日照、高温环境下表现出更强的适应性。
　　在电动汽车基础设施方面，RM250UZ-2H可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩中的功率转换模块，承担高频整流任务，帮助实现更高的能量转换效率和更快的充电速度。同时，其高温工作能力也契合电动车动力系统对可靠性和紧凑性的双重需求。在不间断电源（UPS）系统中，该二极管可用于逆变器桥臂的续流路径，有效抑制电压振荡，提升系统动态响应能力和稳定性。
　　此外，该器件也适用于电机驱动器、感应加热设备和高压DC-DC变换器等需要高效、高频整流的应用场景。在这些系统中，传统硅二极管往往因反向恢复损耗大而导致效率下降甚至过热失效，而RM250UZ-2H则能从根本上解决这些问题。得益于其优异的热性能和电气特性，该器件还支持更高频率的开关操作，有助于减小磁性元件和电容的体积，推动整个电源系统的高功率密度设计。总之，RM250UZ-2H适用于所有追求高效率、高可靠性和小型化的中高压电力转换应用。

SCT30N170RU