电容值：180nF（180,000 pF）
　　电压额定值：50V
　　封装尺寸：1206（3.2mm x 1.6mm）
　　温度系数：X7R
　　容差：±10%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

RM181K 系列多层陶瓷电容器具有多项显著的技术特性。
　　首先，其采用X7R介电材料，这种材料在宽温度范围内（-55°C至+125°C）保持良好的电容稳定性，适用于多种恶劣环境条件下的应用。此外，X7R材料的容量变化率较低，通常在±15%以内，使其非常适合需要稳定电容值的设计场景。
　　其次，RM181K拥有50V的额定电压，在SMD MLCC产品中属于较高耐压等级，能够满足一般工业和消费类电子产品的需求。该电容器的180nF电容值适中，适用于滤波、去耦和储能等电路功能。
　　封装方面，RM181K采用1206标准尺寸，便于自动化贴片工艺，同时提供了较好的焊接稳定性和机械强度。其±10%的容差控制较为严格，适合对电容精度有一定要求的应用场合。
　　此外，该电容器具有低ESR（等效串联电阻）和优异的高频特性，能够在较高频率下维持良好的性能，减少信号噪声和能量损耗。整体来看，RM181K是一款性能优良、适用性广泛的多层陶瓷电容器。

RM181K 多层陶瓷电容器适用于多个领域的电子电路设计。
　　在电源管理电路中，它可用于输入/输出滤波、去耦以及平滑直流电压，有助于提高系统的稳定性并减少纹波干扰。
　　在射频（RF）和高速数字电路中，RM181K由于其优异的高频响应特性，可作为旁路电容或阻抗匹配元件，确保信号完整性。
　　工业控制系统、自动化设备和通信模块中也常使用该电容器进行噪声抑制和能量存储。
　　此外，RM181K还广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，作为去耦电容以保障IC稳定运行，并提升整机的电磁兼容性（EMC）性能。

C1206X180M5RACTU, C1206X184K5RACTU