类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：170A
　　最大漏-源电压（VDS）：300V
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.0mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约4V（范围通常为2V~6V）
　　最大耗散功率（PD）：约300W
　　封装形式：TO-247

RM170N30DF 具有多个显著特性，使其在各种高功率应用中表现出色：
　　首先，该器件采用了 ROHM 独家的沟槽栅极结构技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。这种低导通电阻的设计也使得在大电流条件下，MOSFET 的温升控制在合理范围内，提升了器件的可靠性。
　　其次，RM170N30DF 具有较高的耐压能力，最大漏-源电压（VDS）为300V，适用于中高功率的电源转换应用。该器件能够在高电压和大电流环境下稳定工作，确保系统运行的稳定性。
　　此外，该 MOSFET 采用了 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能。这种封装结构有助于快速散发工作过程中产生的热量，防止器件因过热而损坏，从而延长使用寿命。
　　RM170N30DF 还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，减少了开关损耗，提高了整体系统的能效。这一特性对于需要快速切换的应用（如开关电源、DC-DC 转换器等）尤为重要。
　　最后，该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）适中，通常在2V至6V之间，确保了良好的栅极驱动兼容性。它可以与常见的驱动电路配合使用，简化了设计和使用过程。

RM170N30DF 适用于多种高功率和高频率应用，主要包括：
　　1. 电源转换器：该器件可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器等电源系统中，提供高效的能量转换。
　　2. 电机驱动：由于其高电流承载能力和低导通电阻，RM170N30DF 可用于电动工具、工业电机和电动汽车的驱动电路中。
　　3. 电池管理系统：在电池充放电控制电路中，该 MOSFET 可作为高效的开关元件，确保电池的安全和稳定运行。
　　4. 工业自动化：RM170N30DF 可用于工业控制设备、伺服驱动器和变频器等应用中，提供可靠的功率控制。
　　5. 逆变器：在太阳能逆变器和UPS系统中，该器件可用于高效的能量转换和管理。
　　总的来说，RM170N30DF 凭借其优异的性能，在需要高功率密度、高效率和高可靠性的应用场景中得到了广泛的应用。

SiC621K, IPP110N30K5, STW110N3K5-6, TK170E03K